IRFR3607TRPBF

产品概述：IRFR3607TRPBF

1. 产品基本信息

IRFR3607TRPBF 是一种高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其以 TO-252-3（D-Pak）封装形式提供。由著名品牌 Infineon（英飞凌）生产，这款器件具有卓越的电气特性和良好的热管理能力，适用于多种高功率电子应用。

2. 关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 75V
• 连续漏极电流（Id）: 56A（在晶体管壳体温度 Tc = 25°C 时）
• 最大功率耗散: 140W（在 Tc = 25°C 时）
• 最大导通电阻 (Rds On):
  • 9毫欧 @ 10V 和 46A 条件下
• 阈值电压 (Vgs(th)):
  • 最大值为4V @ 100µA
• 栅极电荷 (Qg):
  • 最大值为84nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss):
  • 最大值为3070pF @ 50V
• 工作温度范围:
  • -55°C 到 175°C（TJ）
• 栅极驱动电压:
  • 最大 Vgs 为 ±20V

3. 应用场景

IRFR3607TRPBF 适用于各种功率转换和控制场合，例如：

• DC-DC 转换器：高频开关模式电源中需要快速反应的开关元件。
• 马达驱动器：用于电机控制电路，能够承受高电流和高电压。
• 电源管理：在电源分配等应用中，保证电效率和热性能。
• 工业自动化：广泛应用于工业设备的功率调节和控制。

4. 性能优势

IRFR3607TRPBF 的设计专注于性能与可靠性的平衡：

• 低导通电阻：极低的 Rds On 值（9毫欧）在高负载情况下能够显著降低功率损耗，提升整体能源效率。
• 宽工作温度范围：-55°C 到 175°C 的工作温度范围，使其可在极端环境条件下稳定工作，适合航空航天和工业应用。
• 高功率处理能力：高达140W的功率耗散能力，使其适用于对功率有高要求的设备。
• 高频性能：快速的栅极电荷 Qg（84nC）确保在高频操作中表现优越，有助于减小开关损耗。

5. 安装与兼容性

IRFR3607TRPBF 采用 D-Pak 表面贴装封装，便于自动化生产线的布局和焊接。该封装形式有效散热，延长了器件的使用寿命。此外，这种封装还与许多电路板设计兼容，使产品具有一定的通用性。

6. 结论

综上所述，IRFR3607TRPBF 是一款高效率、高稳定性并具备广泛应用前景的 N 通道 MOSFET。依赖于其卓越的电气参数和耐高温性能，IRFR3607TRPBF 为各种高功率电子设备提供了理想的解决方案。无论是在电源转换、马达驱动还是工业自动化领域，其性能都能满足用户的高标准需求。选择 IRFR3607TRPBF，意味着选择了可靠性与效率并存的先进电源管理方案。