IRFU214PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFU214PBF

商品编码: BM0000281022
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W;25W 250V 2.2A 1个N沟道 TO-251-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.4
按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.4
--
3000+
¥1.33
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFU214PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)1.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,1.3A
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.2nC@10V输入电容(Ciss@Vds)140pF
反向传输电容(Crss@Vds)9.6pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFU214PBF手册

IRFU214PBF概述

产品概述:IRFU214PBF

IRFU214PBF是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO-251AA封装,特别适用于电源管理与电子控制应用。该器件由知名半导体制造商VISHAY(威世)生产,凭借其卓越的电气特性和广泛的工作参数,IRFU214PBF在现代电子设计中得到了广泛的应用和认可。

一、基本技术特性

  1. 封装与引脚排列:IRFU214PBF4采用TO-251-3短引线封装,提供良好的热管理和电气性能,适合通孔安装(THT)。其IPak封装设计支持更高的功率处理能力,满足不同工业应用的需求。

  2. 电气参数

    • 漏源极电压(Vdss):250V,表示该MOSFET能够承受的最大漏极至源极电压,有效支持高电压的应用场合。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C的条件下可持续提供2.2A的电流,极高的电流处理能力使其适用于各种高功率应用。
    • 栅源极电压(Vgss):±20V,这一参数保证了栅极的控制信号具有足够的范围,使MOSFET能够在高效驱动条件下稳定工作。
  3. 导通电阻和开关特性

    • 设计上,该MOSFET的最大导通电阻(Rds On)为2Ω,经过有效的栅极驱动(10V)能在1.3A电流时维持较低的功耗。
    • 其门极电荷(Qg)为8.2nC,表明该MOSFET在开关操作中具有较小的电荷损耗,这使得它在高频开关电路中尤其高效。
  4. 温度与功率管理

    • IRFU214PBF能够在-55°C至150°C的环境中安全工作,适应严苛的工作条件。
    • 最大功率耗散为2.5W(环境温度下)和25W(在适当的结温下),意指其采用良好的散热设计,能够适应高热流应用。
  5. 电容特性

    • 在25V的条件下,其输入电容(Ciss)为140pF,表明该MOSFET在输入特性上具备较高的响应速度,有助于提升电路的整体性能。

二、应用领域

IRFU214PBF MOSFET广泛应用于各种电子设备中,包括:

  • 电源转换器:其高压和高流特性使得该器件适用于AC-DC转换器和DC-DC变换器等电源管理电路。
  • 马达控制:在马达驱动应用中,能够承担高电流负载,同时具备有效的开关能力。
  • 开关电路:可用于高效的开关电路设计,尤其是在要求快速开关的高频应用领域。
  • LED驱动:其优良的导通特性和电流处理能力也使其成为LED驱动电路方案中的理想选择。

三、总结

IRFU214PBF是一款功能强大且可靠的N沟道MOSFET,凭借其高电压和电流特性、优异的热管理能力以及出色的开关性能,使得它成为了现代电源管理和驱动电路设计中不可或缺的元件之一。随着电子技术的不断进步和市场对高效率、高可靠性的电子产品需求的增加,IRFU214PBF无疑是一个理想的选择。无论是在工业控制、消费电子,还是在汽车电子领域,该MOSFET都能提供卓越的表现,助力电子设计的进一步创新和发展。