类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 250V |
连续漏极电流(Id) | 1.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,1.3A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.2nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 140pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 9.6pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:IRFU214PBF
IRFU214PBF是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO-251AA封装,特别适用于电源管理与电子控制应用。该器件由知名半导体制造商VISHAY(威世)生产,凭借其卓越的电气特性和广泛的工作参数,IRFU214PBF在现代电子设计中得到了广泛的应用和认可。
一、基本技术特性
封装与引脚排列:IRFU214PBF4采用TO-251-3短引线封装,提供良好的热管理和电气性能,适合通孔安装(THT)。其IPak封装设计支持更高的功率处理能力,满足不同工业应用的需求。
电气参数:
导通电阻和开关特性:
温度与功率管理:
电容特性:
二、应用领域
IRFU214PBF MOSFET广泛应用于各种电子设备中,包括:
三、总结
IRFU214PBF是一款功能强大且可靠的N沟道MOSFET,凭借其高电压和电流特性、优异的热管理能力以及出色的开关性能,使得它成为了现代电源管理和驱动电路设计中不可或缺的元件之一。随着电子技术的不断进步和市场对高效率、高可靠性的电子产品需求的增加,IRFU214PBF无疑是一个理想的选择。无论是在工业控制、消费电子,还是在汽车电子领域,该MOSFET都能提供卓越的表现,助力电子设计的进一步创新和发展。