类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 64A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 14mΩ@10V,32A |
功率(Pd) | 130W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 81nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.97nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFZ48NPBF是一款高性能的N通道MOSFET,专为高效能应用而设计,具备强大的电流承载能力和良好的导通特性。该场效应管具有55V的漏源电压(Vdss)和64A的连续漏极电流(Id),使其适用于各种需要高电流和高电压的电子电路。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和其他要求高功率密度的应用场合。
该MOSFET的功率耗散能力非常优秀,最大功率耗散为130W(温度调节条件下),使其可以承受较高的热负荷而不易过热,从而延长产品的使用寿命。广泛的工作温度范围(-55°C至175°C)确保IRFZ48NPBF在极端环境下的可靠运行,适用于航空航天、军事及工业自动化等高要求的应用领域。
IRFZ48NPBF采用TO-220AB封装,通孔安装设计使其在多种PCB设计中易于集成。这种封装提供了优良的散热性能,确保在高功率应用中能够有效地管理热量。
由于其卓越的性能参数,IRFZ48NPBF适用于以下几种主要应用场景:
总的来说,IRFZ48NPBF凭借其显著的电气性能、宽广的工作温度范围以及优良的封装设计,成为高电流和高电压场合的理想选择。其卓越的导通特性和低能量损耗,使其在现代电子设计中拥有广泛应用前景。如果您需要一个稳定、可靠并且具备优质性能的N通道MOSFET,IRFZ48NPBF无疑是值得考虑的解决方案。