类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@4.5V,2.6A |
功率(Pd) | 1.2W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 21nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 854pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 47pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称:DMC25D0UVT-7
品牌:DIODES(美台)
封装类型:TSOT-23-6 (TSOT26)
类型:N沟道与P沟道场效应管 (MOSFET)
DMC25D0UVT-7是一款高性能的表面贴装型场效应管,专门设计用于各种低功耗电子设备的功率开关及信号放大应用。该产品具备良好的导通性能和低导通电阻,加上宽广的工作温度范围,使其在各种应用场景中均表现出色。
DMC25D0UVT-7具备广泛的应用前景。其主要应用领域包括:
DMC25D0UVT-7在行业中具备以下竞争优势:
总之,DMC25D0UVT-7是一款专为现代电子应用设计的高效率N沟道与P沟道场效应管(MOSFET)。其优秀的导通性能、轻量级封装及广泛的应用潜力,使其成为电源管理、开关调节等领域中理想的选择。凭借DIODES品牌的质量保证,DMC25D0UVT-7无疑将为您的产品增添强大的可靠性和性能。