DMG3414U-7
DMG3414U-7参数
| 类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V |
| 功率(Pd) | 780mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.6nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 829.9pF |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 81.2pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMG3414U-7手册
DMG3414U-7概述
DMG3414U-7 产品概述
DMG3414U-7是一款高性能N沟道MOSFET，采用SOT-23封装，具有多种优秀的电气特性，特别适合于各种中低功率电子应用。这款MOSFET的主要参数包括：漏源电压（Vdss）为20V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达4.2A，最高功率耗散能力为780mW。这些参数使得DMG3414U-7在使用中具备了良好的可靠性及稳定性。
关键特性
漏源电压与电流： DMG3414U-7的漏源电压限制在20V，这对于许多低电压电源应用是理想的。同时，其4.2A的连续漏极电流能够满足大多数中等负载条件下的高效率需求。
低导通电阻： 在5V的栅源电压（Vgs）下，DMG3414U-7可实现最低导通电阻（Rds(on)）为25mΩ。当电流达到8.2A时，这种低阻抗特性不仅降低了功耗，还改善了热管理效率，使其在长时间工作时保持良好的温度稳定性。
阈值电压与驱动电压： 栅源极阈值电压（Vgs(th)）为900mV（在250µA时），提供了良好的控制灵活性。驱动电压的范围为1.8V到4.5V，表明该器件能够与低电压驱动电路兼容，适合于现代数字电路和电源管理应用。
优异的开关特性： DMG3414U-7的栅电荷（Qg）为9.6nC（在4.5V时），这些特性使得它在高频开关过程中表现出色，适合用于开关电源和DC-DC转换器等应用场合。
宽广的工作温度范围： 从-55°C到150°C的工作温度范围使得DMG3414U-7适合于多种苛刻环境下使用，特别是在工业和汽车应用方面表现尤为突出。
多种封装选择： 该元件采用SOT-23封装（也称为TO-236-3），其小巧的体积适合于各种PCB设计，尤其是对空间要求较高的紧凑型设备。
应用场景
DMG3414U-7 MOSFET适用于广泛的电子应用，主要包括但不限于：
- 开关电源：由于其优良的导通特性和低功耗，适合用作开关元件。
- DC-DC转换器：在升压或降压电路中提供高效的电力转换。
- 负载开关：用于控制气压、马达和LED等电气负载。
- 电池管理系统：在电池保护与管理电路中，帮助提高充电与放电的效率。
- 汽车电子：适合于车载电子设备，提供可靠的电源管理功能。
总结
总的来说，DMG3414U-7是一款高效、可靠且功能多样的N沟道MOSFET，具有广泛的应用前景。其优异的电气特性和小巧的封装设计，使这一元器件在现代电子设备中具有很高的设计价值和实用性。无论是在低功耗的开关电源，还是在严格的工业环境中，它均能为设计师提供有力支持，从而实现高效能和高可靠性的电子解决方案。