DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7 产品概述

产品简述

DMG7408SFG-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用表面贴装式 PowerDI3333-8 封装，具有出色的电流承载能力和低导通电阻，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在功率管理、开关电源和逆变器等领域。该器件的最大漏源电压为 30V，最大连续漏极电流为 7A，具备出色的热稳定性和可靠性，适合在严苛的环境条件下工作。

主要参数

• 安装类型: 表面贴装型（SMD），有助于提高PCB的空间效率和组装的自动化程度。
• 导通电阻（Rds(on)）: 在 10A、10V 的条件下，最大导通电阻为 23 毫欧，确保低功耗和高效率的电力传输。
• 驱动电压（Vgs）: 标称驱动电压为 4.5V 到 10V，具有良好的兼容性，能够满足多种驱动电路的需求。
• 电流 - 连续漏极 (Id): 在 25°C 环境温度下，额定持续漏极电流可达 7A，适应性强。
• 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 478.9pF @ 15V，这一特性有助于保持快速开关响应。
• 栅极电压（Vgs）: 最大栅极电压为 ±20V，极大提高了安全性和使用灵活性。
• 工作温度范围: 扩展工作温度范围为 -55°C ~ 150°C，表明器件在极端温度下的可靠性。
• 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 17nC @ 10V，确保在高频开关应用中的快速切换。
• 漏源电压（Vdss）: 最大漏源电压为 30V，适用于中低压功率电子应用。
• 功率耗散: 最大功率耗散为 1W，适合于要求较低功耗的应用场合。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2.4V @ 250µA，确保器件在较低电压下即可导通。

性能与应用

DMG7408SFG-7 的设计使其在功率管理、电机控制、开关电源等场合表现出色。因其超低的 Rds(on)，非常适用于需要高效能和低热量产生的应用，能够显著提高电源效率并降低散热要求。这款 MOSFET 也特别适用于高频开关应用，因其低寄生电容和较小的栅极电荷，使其在切换时损耗极小，适合大多数电源转换电路。

在电机驱动器中，DMG7408SFG-7 可以用于 H 桥电路，提供稳定的开关驱动，改善电机的响应时间和效率。此外，它也常被用于 DC-DC 转换器，避开了传统线性电源的一些局限性，能够在减少能量损耗的情况下实现高效电压转换。

总结

DMG7408SFG-7 N 通道 MOSFET 凭借其卓越的技术参数和设计优势，为现代电子电路提供了一种高效、可靠的解决方案。无论是在整体系统设计中，还是在特定应用中，它都展现出极高的适用性，成为品质和性能兼备的理想选择。作为一款来自 DIODES 公司的产品，DMG7408SFG-7 不仅体现了公司的技术实力和创新意识，也将为各种电源管理和转换应用提供强有力的支持。