DMN1019USN-13

DMN1019USN-13 产品概述

一、产品基本信息

DMN1019USN-13 是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应管），专为表面贴装型应用设计。此器件由知名品牌DIODES（美台）生产，具备出色的电气特性和可靠性，适用于各种电子电路，包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。

二、技术参数

该MOSFET的主要技术参数列示如下：

• 安装类型：表面贴装型（SMD），适合现代小型化电路的轻便设计。
• 电流：在25°C环境温度下，DMN1019USN-13的连续漏极电流最高可达9.3A，确保其在负载较大时的稳健表现。
• 导通电阻 (Rds On)：在额定电流9.7A时，最大导通电阻为10毫欧，指示在开关状态下的能量损失很小，提升了效率。
• 驱动电压：此器件的最小和最大Rds On值分别为1.2V和2.5V，意味着在适当的栅源电压下，器件能够快速开启和关断，适应动态负载条件。
• 漏源电压 (Vdss)：该MOSFET设计的最大漏源电压为12V，适合低到中等电压需求的应用。
• 功率耗散最大值：最大功率耗散能力为680mW，说明其在工作时有良好的热管理能力。
• 工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适合严苛环境下的应用需求。

三、输入能力

在输入特性方面：

• 输入电容 (Ciss)：在10V的情况下，最大输入电容为2426pF，这为较快的开关速度和优越的频率响应提供了基础。
• 栅极电荷 (Qg)：不同Vgs时的最大栅极电荷（Qg）为50.6nC（@ 8V），说明其在切换时对驱动电路的要求相对较低，有利于降低驱动电路功耗。

四、阈值电压

• 阈值电压 (Vgs(th))：在250µA下最大阈值电压可达800mV，确保了MOSFET在低电压条件下能够被有效驱动。

五、应用场景

由于其高效的导通特性、优越的热性能和广泛的温度范围，DMN1019USN-13可广泛应用于多种电子电路中，如：

• 开关电源计划：适合用于为各种设备提供稳定高效的电源供应。
• 电机驱动：可用于低电压电机控制电路，确保妥善的开关和良好的性能输出。
• DC-DC转换器：优化能量转换效率，适用于便携式设备和储能系统等领域。

六、总结

DMN1019USN-13作为一款高可靠性的N沟道MOSFET，拥有出色的电气性能和适应性，能够满足现代功率电子的多样化需求。其独特的技术参数如低导通电阻、宽工作温度范围和优良的输入能力，使得它在众多应用中脱颖而出。无论是从效率、性能还是稳定性来看，DMN1019USN-13均是设计师与工程师理想的选择。对于任何希望在设计中提升效率和可靠性的项目来说，这款MOSFET都是不可或缺的组成部分。