DMN3023L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.055g
描述 :
场效应管(MOSFET) 900mW 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
6632(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.785按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.785
--
200+
￥0.541
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1500+
￥0.493
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3000+
￥0.46
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3023L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.2A |
| 栅源极阈值电压 | 1.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 900mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 873pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN3023L-7手册
DMN3023L-7概述
DMN3023L-7 产品概述
一、基本简介
DMN3023L-7 是一款出色的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由 DIODES（美台）公司制造。该器件专为低功耗、高效率的电子电路设计，广泛应用于开关电源、马达驱动、DC-DC 转换器及其他需要高开关频率的场合。DMN3023L-7 的设计使其具备优良的热稳定性与电气特性，为现代电子应用提供了可靠的解决方案。
二、主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 最高 30V，适合多种小信号和中等功率的应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可达 6.2A，满足高负载电流的需求。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.8V @ 250µA，确保在低电压下即可稳定开关。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 25mΩ @ 4A，10V，提供优越的传导效率，减少功耗发热。
- 最大功率耗散: 在环境温度 25°C 下为 900mW，适合高能量密度的应用场合。
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C，保证在极端条件下的可靠性。
三、建模特性
高效能: DMN3023L-7 的低导通电阻意味着在开关电源或马达驱动应用中，可以显著降低能量损失，从而提高整体系统效率。
宽工作范围: 适应于各种气候和温度条件，使其在严苛环境下仍能稳定工作。
小型封装: SOT-23 封装体积小，便于表面贴装，适合空间有限的设计要求。
驱动电压: 支持 2.5V 到 10V 的驱动电压，为设计者提供了更多的灵活性。
输入电容: 输入电容 (Ciss) 为 873pF @ 15V，适合高速开关应用，有助于提高开关频率与效率。
栅极电荷 (Qg): 18.4nC @ 10V 的栅极电荷使得驱动电路设计更为简便。
四、应用领域
由于其优越的电气特性与良好的可靠性，DMN3023L-7 在多个领域均具备广泛的应用潜力，包括：
- 开关电源: 高效率的功率转换，有助于降低能量消耗。
- 电机控制: 提供稳定的开关特性，以满足精确控制的要求。
- 信号开关: 用于信号开关时，保证信号传递的完整性与稳健性。
- LED 驱动: 在LED照明应用中，与驱动电路结合可实现优秀的调光效果。
五、总结
DMN3023L-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其高效的电气特性、宽温度适应性和小巧的封装，成为各种电子设计的理想选择。在功率转换、马达驱动和其它要求高效能的场合中，DMN3023L-7 显示出了卓越的表现，是设计工程师构建高效、可靠电路的理想元件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，DMN3023L-7 都能够带来出色的性能和稳定性，助力设备实现更高的能效与性能。