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DMN3023L-7

- 商品编码: BM0000281093复制
- 品牌: DIODES(美台)复制
- 封装: SOT-23复制
- 包装: 编带复制
- 重量: 0.055g复制
- 描述: 场效应管(MOSFET) 900mW 30V 6.2A 1个N沟道复制
DMN3023L-7参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.4nC |
| 输入电容(Ciss) | 873pF |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMN3023L-7手册
DMN3023L-7概述
DMN3023L-7 产品概述
一、基本简介
DMN3023L-7 是一款出色的 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),由 DIODES(美台)公司制造。该器件专为低功耗、高效率的电子电路设计,广泛应用于开关电源、马达驱动、DC-DC 转换器及其他需要高开关频率的场合。DMN3023L-7 的设计使其具备优良的热稳定性与电气特性,为现代电子应用提供了可靠的解决方案。
二、主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 最高 30V,适合多种小信号和中等功率的应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时可达 6.2A,满足高负载电流的需求。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1.8V @ 250µA,确保在低电压下即可稳定开关。
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 25mΩ @ 4A,10V,提供优越的传导效率,减少功耗发热。
- 最大功率耗散: 在环境温度 25°C 下为 900mW,适合高能量密度的应用场合。
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C,保证在极端条件下的可靠性。
三、建模特性
高效能: DMN3023L-7 的低导通电阻意味着在开关电源或马达驱动应用中,可以显著降低能量损失,从而提高整体系统效率。
宽工作范围: 适应于各种气候和温度条件,使其在严苛环境下仍能稳定工作。
小型封装: SOT-23 封装体积小,便于表面贴装,适合空间有限的设计要求。
驱动电压: 支持 2.5V 到 10V 的驱动电压,为设计者提供了更多的灵活性。
输入电容: 输入电容 (Ciss) 为 873pF @ 15V,适合高速开关应用,有助于提高开关频率与效率。
栅极电荷 (Qg): 18.4nC @ 10V 的栅极电荷使得驱动电路设计更为简便。
四、应用领域
由于其优越的电气特性与良好的可靠性,DMN3023L-7 在多个领域均具备广泛的应用潜力,包括:
- 开关电源: 高效率的功率转换,有助于降低能量消耗。
- 电机控制: 提供稳定的开关特性,以满足精确控制的要求。
- 信号开关: 用于信号开关时,保证信号传递的完整性与稳健性。
- LED 驱动: 在LED照明应用中,与驱动电路结合可实现优秀的调光效果。
五、总结
DMN3023L-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其高效的电气特性、宽温度适应性和小巧的封装,成为各种电子设计的理想选择。在功率转换、马达驱动和其它要求高效能的场合中,DMN3023L-7 显示出了卓越的表现,是设计工程师构建高效、可靠电路的理想元件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,DMN3023L-7 都能够带来出色的性能和稳定性,助力设备实现更高的能效与性能。
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