DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7 产品概述

概述

DMN3190LDW-7 是一款双 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），设计用于广泛的电源开关和信号开关应用。这款元件由美台半导体（DIODES）制造，具备出色的电气性能和优异的热管理能力，其功耗和体积都进行了优化，适合用于高密度的电子设备。

主要参数

• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 连续漏极电流 (Id): 1A（在 25°C 时）
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.8V @ 250µA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 190mΩ @ 1.3A, 10V
• 最大功率耗散 (Pd): 320mW (在 Ta=25°C 时)
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 封装类型: SOT-363 (6-TSSOP, SC-88)

结构与应用

DMN3190LDW-7 内部采用双 N 沟道结构，集成了两个独立的 MOSFET，能够同时处理正负信号。这种结构使其在电源管理、开关处理和信号放大等多个应用中具有优势。由于其逻辑电平门的特性，该元件可以在较低的栅压下稳定开启，非常适合低功耗设备。

该元件具有较低的导通电阻，这可以有效降低在开关负载时的能量损耗，帮助保持系统的高效率。对电流的良好承载能力（最大 1A）以及高达 320mW 的功率处理能力，使其适合用于诸如电池供电设备、便携式电子产品以及其他需要高效电源控制的应用中。

性能特点

DMN3190LDW-7 展现出一系列优异的性能特征，包括：

• 低栅电荷 (Qg): 2nC @ 10V，意味着快速的开关性能，能有效提高开关频率，进而提升电路效率。
• 低输入电容 (Ciss): 87pF @ 20V，降低了驱动电路的功率需求，使得该 MOSFET 在某些情况下可与较小的驱动器配合使用。
• 宽工作温度范围: 表明其适用于各种严格环境下的应用，从极暖的环境到极冷的环境均可有效工作，确保产品的稳定性和可靠性。

封装与安装

该产品采用 SOT-363 封装，方便表面贴装（SMT）技术的应用，使得它能够在空间受限的电路板上实现高密度布局。小巧的尺寸和轻量化的设计也使其更加适合移动电子产品的需求。

应用领域

DMN3190LDW-7 适合于多种电子产品和系统，包括：

• 电源管理模块
• 开关电源
• 便携式设备（如智能手机、平板电脑等）
• LED 驱动电路
• 工业控制和自动化设备

结论

综上所述，DMN3190LDW-7 作为一款高效双 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装形式，能够满足现代电子设备对高性能和小型化的需求。无论是在电源管理、信号开关，还是在其他多种应用中，DMN3190LDW-7 都是用户求稳的理想选择。