DMP3098LQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMP3098LQ-7

商品编码: BM0000281102
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.033g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.08W 30V 3.8A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
6572(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.572
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.572
--
200+
¥0.394
--
1500+
¥0.358
--
3000+
¥0.334
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP3098LQ-7参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.8A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)120mΩ@4.5V,3.0A
功率(Pd)1.08W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.008nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)147pF@25V工作温度-55℃~+150℃

DMP3098LQ-7手册

DMP3098LQ-7概述

DMP3098LQ-7 产品概述

DMP3098LQ-7是一款高性能P沟道MOSFET,专为多种应用场景而设计,包括但不限于电源管理、开关电路和负载驱动等领域。该元器件由DIODES公司生产,具备优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。

主要参数

  • 漏源电压(Vds): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 3.8A (25°C)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 70mΩ @ 3.8A, 10V
  • 最大功率耗散: 1.08W (Ta=25°C)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • 封装类型: SOT-23-3

电气特性

DMP3098LQ-7的漏源电压范围为30V,使其适合用于需要较高电压控制的电路。其在25°C下可承受的连续漏极电流为3.8A,这一参数足以满足大多数消费类电子产品和工业应用中的功率需求。

栅源极阈值电压(Vgs(th))为2.1V,意味着其开关特性良好,可以在较低的栅极电压下实现导通,从而减少功耗。漏源导通电阻(Rds(on))仅为70mΩ,这使得在导通状态下,电能损耗降低,并提升了电路的效率。

该器件的功率耗散能力达到1.08W,使其在高负载条件下仍能稳定工作。按最大工作温度-55°C ~ 150°C的规格,DMP3098LQ-7适用于极端环境,在汽车和工业控制领域中均能保持优异的性能。

性能优势

  1. 高效能: DMP3098LQ-7的低导通电阻和电流承载能力使其在进行高频开关操作中特别高效,显著降低了功率损耗。

  2. 温度适应性强: 广泛的工作温度范围意味着该器件适用于各种恶劣环境,不论是在极冷或高温条件下都能正常工作。

  3. 小型化封装: SOT-23封装的设计使得该MOSFET特别适合进行表面贴装,适用空间有限的设计需求,有助于实现更小型化和集成化的电路布局。

应用领域

DMP3098LQ-7因其卓越的电气特性,被广泛应用于以下场景:

  • 电池管理系统: 在便携式设备和电动汽车中用作开关元件,以提高整体的电源转化效率。
  • 电动机驱动: 在小型电机及相关设备中控制电源,提供高效的电流管理。
  • 汽车电子: 用于智能仪表、车载充电器和其他汽车内部电路,以提高整体能效。

结论

综上所述,DMP3098LQ-7是一款功能强大的P沟道MOSFET,具备众多优质特性,特别适合现代电子设计需求。其广泛的应用范围和高效能,使其成为许多领域内电子设计师的重要选择。通过灵活应用该元器件,可以有效提升电子设备的性能和可靠性,为用户提供更优质的产品体验。无论是基础的电源控制还是复杂的电机驱动应用,DMP3098LQ-7都能运用自如,展现出色的电气性能和用户价值。