类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@4.5V,3.0A |
功率(Pd) | 1.08W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.008nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 147pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DMP3098LQ-7是一款高性能P沟道MOSFET,专为多种应用场景而设计,包括但不限于电源管理、开关电路和负载驱动等领域。该元器件由DIODES公司生产,具备优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域。
DMP3098LQ-7的漏源电压范围为30V,使其适合用于需要较高电压控制的电路。其在25°C下可承受的连续漏极电流为3.8A,这一参数足以满足大多数消费类电子产品和工业应用中的功率需求。
栅源极阈值电压(Vgs(th))为2.1V,意味着其开关特性良好,可以在较低的栅极电压下实现导通,从而减少功耗。漏源导通电阻(Rds(on))仅为70mΩ,这使得在导通状态下,电能损耗降低,并提升了电路的效率。
该器件的功率耗散能力达到1.08W,使其在高负载条件下仍能稳定工作。按最大工作温度-55°C ~ 150°C的规格,DMP3098LQ-7适用于极端环境,在汽车和工业控制领域中均能保持优异的性能。
高效能: DMP3098LQ-7的低导通电阻和电流承载能力使其在进行高频开关操作中特别高效,显著降低了功率损耗。
温度适应性强: 广泛的工作温度范围意味着该器件适用于各种恶劣环境,不论是在极冷或高温条件下都能正常工作。
小型化封装: SOT-23封装的设计使得该MOSFET特别适合进行表面贴装,适用空间有限的设计需求,有助于实现更小型化和集成化的电路布局。
DMP3098LQ-7因其卓越的电气特性,被广泛应用于以下场景:
综上所述,DMP3098LQ-7是一款功能强大的P沟道MOSFET,具备众多优质特性,特别适合现代电子设计需求。其广泛的应用范围和高效能,使其成为许多领域内电子设计师的重要选择。通过灵活应用该元器件,可以有效提升电子设备的性能和可靠性,为用户提供更优质的产品体验。无论是基础的电源控制还是复杂的电机驱动应用,DMP3098LQ-7都能运用自如,展现出色的电气性能和用户价值。