集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 56@50mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 3V@20mA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@50mA,2.5mA |
输入电阻 | 1kΩ | 电阻比率 | 10 |
工作温度 | -40℃~+150℃ |
DTB113ZKT146 是一种高性能的数字晶体管,采用了 ROHM(罗姆)品牌制造,封装为 SMT3 表面贴装型。此产品具有广泛的应用潜力,尤其在需要高电流和低功耗的电子电路中表现出色。该晶体管特别设计为 PNP 型预偏压(Pre-Biased)类型,具有有效地解决电路设计中某些方面的挑战,特别是在电流放大和驱动负载方面,提供可靠的解决方案。
DTB113ZKT146 的主要技术参数如下:
这些参数将使 DTB113ZKT146 在多个应用场合中能够满足严格的电子设计需求,特别是在需要高效率和低热量产生的环境中。
DTB113ZKT146 凭借其优越的性能,可以被广泛应用于各种数字电路、开关电源、信号放大器和其他传感器应用。以下是一些常见的应用领域:
开关电路:由于其较高的电流处理能力,该晶体管极其适合用作开关元件,在负载电路中控制设备的开启与关闭。
信号放大:其直流电流增益特性(hFE)使其能够在信号处理和放大应用中成为理想选择,能够有效增强微小信号的强度。
数字逻辑电路:由于其低静态电流和较高的开关速度,DTB113ZKT146 可以在数字逻辑电路中提供稳定的性能,驱动逻辑门或触发器。
低功耗:DTB113ZKT146 设计中的低静态电流(500nA)确保在待机模式下不会消耗过多电力,这对于电池供电的设备尤为重要。
高电流能力:最大集电极电流高达 500mA,使其在承载电流较大的负载时依然能够稳定工作。
宽电压范围:50V 的最大 Vce 越过了许多常见应用场合的电压需求,为开发者在设计电路时提供了更大的灵活性。
优越的频率响应:200MHz 的跃迁频率使得其在高频应用中依然能够保持良好的信号完整性,适合现代高速电子产品的需求。
DTB113ZKT146 是一款具有卓越性能的数字晶体管,适合在多种场景中使用,特别是考虑到其高电流、高频率和低功耗特性。此产品的设计优化保证了其在现代电子设备中的应用,尤其是在需要稳健和可靠性的系统中。选择 DTB113ZKT146,不仅能够提升电路性能,还能在多重应用中发挥稳定作用。无论是开关电路、信号放大还是数字逻辑设计,DTB113ZKT146 都是值得信赖的元器件选择。