DTB113ZKT146 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DTB113ZKT146

商品编码: BM0000281118
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 SC-59
库存 :
45320(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.266
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.266
--
3000+
¥0.235
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTB113ZKT146参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)500mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)56@50mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@20mA,0.3V输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@50mA,2.5mA
输入电阻1kΩ电阻比率10
工作温度-40℃~+150℃

DTB113ZKT146手册

DTB113ZKT146概述

DTB113ZKT146 产品概述

一、产品简介

DTB113ZKT146 是一种高性能的数字晶体管,采用了 ROHM(罗姆)品牌制造,封装为 SMT3 表面贴装型。此产品具有广泛的应用潜力,尤其在需要高电流和低功耗的电子电路中表现出色。该晶体管特别设计为 PNP 型预偏压(Pre-Biased)类型,具有有效地解决电路设计中某些方面的挑战,特别是在电流放大和驱动负载方面,提供可靠的解决方案。

二、技术参数

DTB113ZKT146 的主要技术参数如下:

  • 类型:PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic):500mA
  • 最大集电极截止电流:500nA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):50V
  • Vce 饱和压降:300mV @ 2.5mA,50mA
  • 基极电阻 (R1):1 kΩ
  • 发射极电阻 (R2):10 kΩ
  • 最大功率:200mW
  • 频率 - 跃迁:200MHz
  • 直流电流增益 (hFE):56 @ 50mA,5V

这些参数将使 DTB113ZKT146 在多个应用场合中能够满足严格的电子设计需求,特别是在需要高效率和低热量产生的环境中。

三、应用场景

DTB113ZKT146 凭借其优越的性能,可以被广泛应用于各种数字电路、开关电源、信号放大器和其他传感器应用。以下是一些常见的应用领域:

  1. 开关电路:由于其较高的电流处理能力,该晶体管极其适合用作开关元件,在负载电路中控制设备的开启与关闭。

  2. 信号放大:其直流电流增益特性(hFE)使其能够在信号处理和放大应用中成为理想选择,能够有效增强微小信号的强度。

  3. 数字逻辑电路:由于其低静态电流和较高的开关速度,DTB113ZKT146 可以在数字逻辑电路中提供稳定的性能,驱动逻辑门或触发器。

四、设计优势

  1. 低功耗:DTB113ZKT146 设计中的低静态电流(500nA)确保在待机模式下不会消耗过多电力,这对于电池供电的设备尤为重要。

  2. 高电流能力:最大集电极电流高达 500mA,使其在承载电流较大的负载时依然能够稳定工作。

  3. 宽电压范围:50V 的最大 Vce 越过了许多常见应用场合的电压需求,为开发者在设计电路时提供了更大的灵活性。

  4. 优越的频率响应:200MHz 的跃迁频率使得其在高频应用中依然能够保持良好的信号完整性,适合现代高速电子产品的需求。

五、总结

DTB113ZKT146 是一款具有卓越性能的数字晶体管,适合在多种场景中使用,特别是考虑到其高电流、高频率和低功耗特性。此产品的设计优化保证了其在现代电子设备中的应用,尤其是在需要稳健和可靠性的系统中。选择 DTB113ZKT146,不仅能够提升电路性能,还能在多重应用中发挥稳定作用。无论是开关电路、信号放大还是数字逻辑设计,DTB113ZKT146 都是值得信赖的元器件选择。