晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V | 功率(Pd) | 2.25W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@10mA,5V | 特征频率(fT) | 130MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 65mV@10mA,1mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
DXT5551P5-13是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),由著名电子元件制造商DIODES推出。该器件以其出色的电气特性和宽广的应用范围,在多个电子设计中逐渐受到追捧。其封装形式为PowerDI™ 5,专为表面贴装设计,便于提升电路布局的密度,并具备良好的散热性能。
电流和电压能力:
饱和压降:
低截止电流:
DC电流增益:
频率响应:
宽工作温度范围:
DXT5551P5-13因其优异的电气特性被广泛应用于以下领域:
DXT5551P5-13采用PowerDI™ 5封装,这是DIODES为高功率应用设计的方案。该封装不仅提供了优秀的电气连接性,还优化了散热系统,增强了器件的散热能力,确保长期高效运行。
总的来说,DXT5551P5-13是一款功能强大的NPN晶体管,凭借其高电流及高电压特性、低饱和压降和宽温范围,适合各种高性能电子应用。其卓越的技术指标和稳健的性能使其成为设计工程师在开发现代电子设备时的理想选择,尤其是在要求高效率和高可靠性的应用中。