EMX1T2R参数
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 150mA |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 直流电流增益(hFE) | 120 |
| 特征频率(fT) | 180MHz |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
| 数量 | 2个NPN |
EMX1T2R手册
EMX1T2R概述
EMX1T2R 产品概述
一、产品简介
EMX1T2R是一款高性能的NPN双极型晶体管,专为小功率应用而设计。其具有150mW的额定功率,最大集电极电流(Ic)为150mA,集射极击穿电压(Vce)为50V。作为一款表面贴装型的晶体管,EMX1T2R适用于高频率信号处理和开关应用,广泛应用于消费电子、通讯设备和工业控制等领域。
二、主要参数
额定功率: 150mW
- 适合低功耗电路的设计。
集电极电流 (Ic): 最大150mA
- 支持多种应用场景,如信号放大和开关控制,具有良好的负载能力。
集射极击穿电压 (Vce): 最大50V
- 提供针对较高电压环境的可靠性,增强了设计的灵活性。
饱和压降:
- 在不同集电极电流(Ic)下,Vce的饱和压降最大为400mV,提供优越的开关性能。
电流 - 集电极截止(ICBO): 最大100nA
- 低电流电流特征使其在信号处理和放大时有更高的稳定性。
DC电流增益 (hFE): 最小120 @ 1mA,6V
- 确保在开关和放大状态下都能提供良好的增益特性。
频率: 跃迁频率高达180MHz
- 适合高速信号处理,能够满足高频应用的需求。
工作温度: 最大150°C
- 为高温环境下的应用提供了保障,具有良好的热稳定性。
封装类型: SOT-563,SOT-666,EMT6
- 表面贴装的设计适合现代紧凑型电路板。
三、应用领域
EMX1T2R的广泛应用可以归功于其出色的电气性能,主要可以应用于如下领域:
消费电子: 适用于电视机、音响等消费类产品,用以驱动输出和信号放大。
通讯设备: 在手机、路由器等通讯产品中用作信号的放大和调制。
工业控制: 适合用于PLC、传感器的信号处理系统中,确保可靠的工作状态。
汽车电子: 随着电动汽车和智能汽车的兴起,EMX1T2R可用于电机驱动、传感器接口等多种汽车电子产品中。
四、总结
EMX1T2R是一款性能优越、适用范围广泛的NPN双极型晶体管,凭借其150mW的额定功率、150mA的集电极电流和50V的击穿电压,能够满足多种应用场景中的需求。其优秀的电流增益、低饱和压降和高跃迁频率,使其在高频信号处理、低功耗设计等方面表现突出。最重要的是,它能在高达150°C的高温环境下可靠工作,这使得EMX1T2R在严苛条件下同样能够发挥其效用。在选择适合的晶体管时,EMX1T2R无疑是一个值得考虑的优秀方案。
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