晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 150mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 120@1mA,6V | 特征频率(fT) | 180MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@50mA,5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
EMX1T2R是一款高性能的NPN双极型晶体管,专为小功率应用而设计。其具有150mW的额定功率,最大集电极电流(Ic)为150mA,集射极击穿电压(Vce)为50V。作为一款表面贴装型的晶体管,EMX1T2R适用于高频率信号处理和开关应用,广泛应用于消费电子、通讯设备和工业控制等领域。
额定功率: 150mW
集电极电流 (Ic): 最大150mA
集射极击穿电压 (Vce): 最大50V
饱和压降:
电流 - 集电极截止(ICBO): 最大100nA
DC电流增益 (hFE): 最小120 @ 1mA,6V
频率: 跃迁频率高达180MHz
工作温度: 最大150°C
封装类型: SOT-563,SOT-666,EMT6
EMX1T2R的广泛应用可以归功于其出色的电气性能,主要可以应用于如下领域:
消费电子: 适用于电视机、音响等消费类产品,用以驱动输出和信号放大。
通讯设备: 在手机、路由器等通讯产品中用作信号的放大和调制。
工业控制: 适合用于PLC、传感器的信号处理系统中,确保可靠的工作状态。
汽车电子: 随着电动汽车和智能汽车的兴起,EMX1T2R可用于电机驱动、传感器接口等多种汽车电子产品中。
EMX1T2R是一款性能优越、适用范围广泛的NPN双极型晶体管,凭借其150mW的额定功率、150mA的集电极电流和50V的击穿电压,能够满足多种应用场景中的需求。其优秀的电流增益、低饱和压降和高跃迁频率,使其在高频信号处理、低功耗设计等方面表现突出。最重要的是,它能在高达150°C的高温环境下可靠工作,这使得EMX1T2R在严苛条件下同样能够发挥其效用。在选择适合的晶体管时,EMX1T2R无疑是一个值得考虑的优秀方案。