FMMT495TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

FMMT495TA

商品编码: BM0000281151
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 150V 1A NPN SOT-23
库存 :
11610(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.523
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.523
--
200+
¥0.338
--
1500+
¥0.294
--
3000+
¥0.26
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

FMMT495TA参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)150V功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@500mA,10V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

FMMT495TA手册

FMMT495TA概述

FMMT495TA 产品概述

FMMT495TA是一款高性能的NPN型晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。该器件由DIODES(美台)生产,以其出色的电气参数和可靠性而成为市场上的热门选择。本文将详细介绍FMMT495TA的规格、性能特点以及应用场景。

主要特性

  1. 电气参数:

    • 额定功率: FMMT495TA的额定功率为500mW,这使得它在各种工作条件下保持良好的热稳定性。
    • 集电极电流: 该晶体管能够承受最大集电极电流(Ic)为1A,适合于需要较大负载的应用。
    • 集射极击穿电压: FMMT495TA的集射极击穿电压(Vce)达到150V,这为高电压应用提供了良好的支持。
    • 饱和压降: 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,该器件的Vce饱和压降最大值为300mV,适用于要求高效率的电路设计。
    • 电流截止值: 在没有信号输入时,集电极截止电流最大仅为100nA,极大地降低了功耗。
  2. 增益特性:

    • FMMT495TA在IC为250mA和Vce为10V的条件下,具有最小直流电流增益(hFE)为10。在设计高增益放大器时,这是一个非常重要的参数,可以保证信号增益稳定。
  3. 频率响应:

    • 该晶体管的跃迁频率高达100MHz,适合用于高速开关和放大应用,能够有效支持高频操作。
  4. 工作温度范围:

    • FMMT495TA可以在极端环境中稳定工作,其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于从消费电子产品到工业设备等各种应用场景。
  5. 封装类型:

    • 采用流行的SOT-23封装,FMMT495TA具有良好的尺寸优势和电路布局灵活性,便于表面贴装。

应用场景

FMMT495TA的特性使其适合多个应用领域,包括但不限于:

  • 开关电路: 由于其高集电极电流能力和低饱和压降,FMMT495TA非常适用于开关电路设计,能有效控制高功率负载。
  • 放大器设计: 在音频和视频信号处理系统中,该晶体管可用作信号放大器,提供高增益和低失真,确保信号质量。
  • 射频应用: 由于其高频率响应,FMMT495TA同样适用于射频和微波设备,如无线通信和雷达系统。
  • 电机驱动: 在小型电机驱动电路中,该器件可用于实现高效控制和调速,适应不同的负载要求。
  • LED驱动器: 结合适当的电路设计,FMMT495TA可用于LED的驱动,提供稳定的电流输出,确保LED的亮度和寿命。

结论

综上所述,FMMT495TA是一款高效、可靠的NPN型晶体管,凭借其卓越的电气性能、广泛的应用范围和优质的工作温度特性,已成为电子设计师在选择组件时的首选之一。无论是在工业、消费电子,还是高度专业化的设备中,FMMT495TA都能够满足设计师对性能、可靠性和经济性的多方面要求。对于那些追求高效、高功率的电路设计项目,FMMT495TA无疑是一个理想的解决方案。