类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 900V |
连续漏极电流(Id) | 6A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V,3A |
功率(Pd) | 56W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.77nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FQPF6N90C 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,具有优异的电气特性和广泛的应用可靠性。其漏源电压(Vdss)高达900V,连续漏极电流(Id)可达6A,使其在高压和中等电流的应用场景中表现出色。FQPF6N90C 的封装采用 TO-220F 形式,便于散热和安装,广泛应用于电源管理、开关电源、工业控制以及汽车电子等领域。
高电压能力: FQPF6N90C 的漏源电压在900V,能够满足高压电源设计需求,适合用于各种高压开关应用。
高连续电流: 额定的连续漏极电流为6A,足以支持多种负载应用,确保系统的稳定性和可靠性。
低导通电阻: 最大导通电阻(Rds(on))在7V Vgs 条件下可达到2.3Ω(@3A),显著减少了功耗和发热,从而提高了整体系统的效率。
宽工作温度范围: 该器件能够在-55°C 到 150°C 的工作温度范围内稳定工作,适合在苛刻环境下长期应用。
优秀的输入特性: FQPF6N90C 的输入电容(Ciss)为1770pF(@25V),栅极电荷(Qg)最大值为40nC(@10V),保证了快速开关特性和良好的控制能力。
耐用性和稳定性: 该 MOSFET 具备高功率耗散能力(最大值为56W),适于高功率应用,且显示出良好的抗热冲击能力。
兼容性: TO-220F 封装设计使其可以方便地与其他同类产品互换,便于集成与布局。
FQPF6N90C MOSFET 的主要应用领域包括:
开关电源: 由于其高截止电压和低导通电阻特性,该产品在 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器中尤其有效,能够提高转换效率。
照明控制: 在 LED 驱动电路中,以高效控制照明负载,使之在开关状态下具备较低的功耗。
电机驱动: 适用于电动机驱动电路中,可以控制电机的启停及调速,提升电机的控制精准度。
工业控制: 在各种工业自动化设备中,可以作为开关组件,满足高频切换要求。
汽车应用: 在汽车电子设备中,如电动窗控制和车灯控制等,确保可靠的操作。
FQPF6N90C 以其高电压和高电流能力、低导通电阻及宽工作温度范围,成为许多高要求应用中的理想选择。无论是在新产品开发还是现有产品的升级中,FQPF6N90C 都能够提供稳定的性能和较高的效率,为设计人员提供了极大的灵活性和便捷性。作为 ON(安森美)品牌的优质产品,FQPF6N90C 一定能够满足您在高压MOSFET领域的各种需求。