
| 驱动配置 | 半桥 | 负载类型 | IGBT;MOSFET |
| 驱动通道数 | 2 | 灌电流(IOL) | 1.8A |
| 拉电流(IOH) | 1.4A | 工作电压 | 10V~20V |
| 上升时间(tr) | 40ns | 下降时间(tf) | 20ns |
| 传播延迟 tpLH | 180ns | 传播延迟 tpHL | 220ns |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
| 静态电流(Iq) | 1mA |
简要介绍
IR2183STRPBF是一款高性能的半桥栅极驱动器,由英飞凌(Infineon Technologies)推出,专为驱动N沟道MOSFET和IGBT应用而设计。其出色的驱动能力和高工作温度范围使其非常适合于多种工业和消费电子应用。封装采用了紧凑的8-SOIC表面贴装型设计,能够满足对尺寸和性能要求高的现代电路设计。
关键参数
IR2183STRPBF的主要技术参数包含:
应用领域
IR2183STRPBF驱动器具备适应广泛工作环境及应用场合的能力,非常适合应用于以下领域:
设计优势
IR2183STRPBF结合了多项先进技术,其优势在于:
结论
IR2183STRPBF是一款功能强大且灵活的半桥栅极驱动器,适用于众多高性能电子应用。通过其在工作电压、输出能力和温度适应能力上的优越表现,IR2183STRPBF无疑是现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在电力转换、高效驱动,还是工业控制领域,IR2183的卓越性能都将为设计工程师提供更多创新空间与选择。