类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 400V |
连续漏极电流(Id) | 2.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.8Ω@10V,2.0A |
功率(Pd) | 50W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 410pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 47pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
IRF720PBF 是一种高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路、驱动电路及其他需要高压大电流控制的电子设备中。其主要特点包括最大漏源电压 (Vdss) 为 400V,连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时可达到 3.3A,功率耗散能力达 50W,支持宽广的工作温度范围(-55°C 至 150°C)。该器件采用 TO-220AB 封装,易于散热并适合通孔安装。
主要参数
应用领域
IRF720PBF MOSFET 适用于各种应用领域,包括但不限于:
散热与安装
IRF720PBF 采用 TO-220AB 封装,其设计支持出色的散热性能。适合通过通孔方式安装,能有效保证在高功率应用下的散热需求,用户可结合散热器使用以确保在大电流环境下的稳定工作。封装设计考虑了便于PCB布局和的焊接工艺,提升了整体生产效率。
总结
IRF720PBF N 沟道 MOSFET 是一款性能稳定、效率高的场效应管,凭借其能在高压和高电流条件下稳定工作,非常适合现代电源管理和开关电路的需求。无论是用于电源适配器、逆变器、开关电源,还是电池管理系统,该器件都能提供出色的性能,助力设计师实现高效、可靠的电路方案。VISHAY(威世)品牌的质量保证和广泛的应用支持,使得 IRF720PBF 成为工程师首选的高压 MOSFET 之一。