IRF7309TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF7309TRPBF

商品编码: BM0000281204
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.207g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A;3A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
库存 :
7367(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.58
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.58
--
4000+
¥1.5
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF7309TRPBF参数

类型1个N沟道+1个P沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,2.4A
功率(Pd)1.4W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V输入电容(Ciss@Vds)520pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

IRF7309TRPBF手册

IRF7309TRPBF概述

IRF7309TRPBF 产品概述

IRF7309TRPBF 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能 MOSFET,主要用于各种功率管理及开关应用。该器件具有良好的电气特性和热性能,适合在高频和高效能的电路中使用。以下是该产品的主要特性和应用分析。

主要特性

  1. 导通电阻与电流承载能力:IRF7309TRPBF 的导通电阻最高可达 50 毫欧(@ 2.4A,10V),在25°C工作条件下,具备4A的连续漏极电流承载能力。这样的特性使得该MOSFET适用于低功率与中等功率的应用,使其在负责电流控制时实现更低的功耗。

  2. 类型:该器件内集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的 FET,使其能够灵活地在多种电路配置中发挥作用。这种双通道的设计提高了电路的集成度,减少了元件数量,从而在空间和成本上带来了优势。

  3. 输入电容和栅极电荷:在输入电压 15V 时,IRF7309TRPBF 的输入电容(Ciss)最高为520pF,栅极电荷(Qg)在4.5V条件下最大值为25nC。这使得其具备较快的切换速度,有效减少开关损耗,适用于需要快速响应的应用场合。

  4. 工作温度范围:该MOSFET能在-55°C至150°C的广泛温度范围内稳定工作,确保了在极端环境下也能可靠运行。这一特性使其非常适合用于高温或低温环境下的电子设备。

  5. 封装与安装类型:IRF7309TRPBF 采用 SO-8 封装,其表面贴装型设计便于自动化生产,适合高密度电路板的组装,且具有良好的散热性能。

应用场景

由于 IRF7309TRPBF 的优异特性,它可广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,IRF7309TRPBF 可用作输入或输出的开关,提供高效率和更低的散热。

  2. 电机驱动:由于其能处理较高电流,IRF7309TRPBF 适合用于直流电机驱动电路,能够有效控制电机的启动、运行和制动。

  3. 负载开关:该MOSFET可用于各种负载开关应用,如LED驱动和继电器驱动等,具备快速开关能力及较小的导通损耗。

  4. 电源管理IC:IRF7309TRPBF 可作为电源管理集成电路中的关键元器件,帮助实现高效能的电源转换和电流控制。

  5. 便携式设备:由于其低功耗和适应广泛温度范围的优点,这款器件也非常适合用于便携式设备,如移动电话、平板电脑等。

结论

综合以上特点,IRF7309TRPBF 是一款性能优异、功能强大的 MOSFET,能够满足现代电子设计对高效能、低功耗及宽工作温度范围的要求。这使得它在工业控制、消费电子及汽车电子等众多领域展现出极高的应用价值。选择 IRF7309TRPBF,不仅能够提升设计的性能,同时也为产品的市场竞争力打下坚实的基础。