类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 12V |
连续漏极电流(Id) | 16A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7mΩ@4.5V,16A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 91nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 8.676nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.604nF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF7410TRPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能 P 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),封装为 SOIC-8,适用于各种电源管理和开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高连续漏极电流能力和宽工作温度范围,能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
电气参数:
高频性能:
工作环境:
封装形式:
IRF7410TRPBF MOSFET 适合用于多种应用,包括但不限于:
IRF7410TRPBF 的低导通电阻和高电流能力,使其在指标上实质领先于许多同类产品。此外,英飞凌作为全球著名的半导体制造商,产品质量得以有效保证,并且在业界享有良好的声誉。其全面的技术支持和丰富的应用经验,也使得客户在设计和开发过程中可以获得更多的帮助和服务。
综上所述,IRF7410TRPBF 是一款性能优越、应用广泛的 P 沟道 MOSFET,凭借其可靠的电气特性和多元的应用场景,成为电子设备设计工程师的重要选择。无论是在新产品开发还是现有系统的优化中,此款器件都能提供突出的性能,是高效电路设计的不二之选。