类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 5.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V,4.8A |
功率(Pd) | 3.1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRF840STRLPBF 是一款由VISHAY(威世)生产的高性能N沟道MOSFET,这款器件在电力电子、开关电源和电机控制等领域具有广泛的应用。作为一款功率MOSFET,IRF840STRLPBF 具有高漏源电压和连续漏极电流,使其能够高效地处理各种电力应用中的高电压和高电流需求。
IRF840STRLPBF采用D2PAK封装,这种表面贴装型(SMD)设计便于在紧凑空间中高效安装,且有助于改善热管理。它的工作温度范围为-55°C到150°C,使其可在极端环境条件下稳定运行,适合工业、汽车及航空航天等严苛条件下的应用。
工程师在设计电路时,可以利用IRF840STRLPBF的多项技术参数来优化电路性能。较低的导通电阻让设计师在设计中考虑高效率的电源,同时,高耐压特性则可避免在高电压应用中的击穿风险。此外,该器件的栅极电荷(Qg)为63nC @ 10V,提供了优良的开关速度,因此在高频操作中表现突出。
IRF840STRLPBF作为一款可靠、功能强大的N沟道MOSFET,以其出色的电气性能和宽广的应用范围,已经成为电力电子工程师的优选器件。其在高电压和高电流应用中的优越表现,使其在现代电子设备和电力系统中不可或缺。无论是在开关电源、电机控制,还是其他高功率应用中,IRF840STRLPBF都能够提供稳定、有效的解决方案。