IRF840STRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRF840STRLPBF

商品编码: BM0000281206
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
2g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W;125W 500V 8A 1个N沟道 TO-263-2
库存 :
4796(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
5.06
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.06
--
800+
¥4.86
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF840STRLPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)5.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)850mΩ@10V,4.8A
功率(Pd)3.1W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF
反向传输电容(Crss@Vds)120pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRF840STRLPBF手册

IRF840STRLPBF概述

IRF840STRLPBF 产品概述

IRF840STRLPBF 是一款由VISHAY(威世)生产的高性能N沟道MOSFET,这款器件在电力电子、开关电源和电机控制等领域具有广泛的应用。作为一款功率MOSFET,IRF840STRLPBF 具有高漏源电压和连续漏极电流,使其能够高效地处理各种电力应用中的高电压和高电流需求。

主要规格与参数

  • 漏源电压 (Vdss): 本产品的漏源电压高达500V,使其适合在高电压环境中使用。
  • 连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下,IRF840STRLPBF的连续漏极电流可达8A,这为其在大功率应用中提供了必要的承载能力。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为4V @ 250µA,确保在较低的栅极驱动电压下即可实现良好的开启性能。
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): IRF840STRLPBF的漏源导通电阻为850mΩ @ 4.8A, 10V,这一特性使得器件在导通时能以极低的电阻实现高效能量传输,减少功耗和发热。
  • 功率耗散: 在25°C的条件下,最大功率耗散为3.1W,而在热量集中(Tc)下可达到125W,显示了其优良的散热性能。

工作环境与封装

IRF840STRLPBF采用D2PAK封装,这种表面贴装型(SMD)设计便于在紧凑空间中高效安装,且有助于改善热管理。它的工作温度范围为-55°C到150°C,使其可在极端环境条件下稳定运行,适合工业、汽车及航空航天等严苛条件下的应用。

应用领域

  1. 开关电源: IRF840STRLPBF 可用于各种开关电源模块,负责高效的电能转换和稳压。
  2. 电机控制: 由于其高电流处理能力,该MOSFET可应用于直流电机及步进电机的驱动电路中。
  3. 电源管理: 在电源管理应用中,它可用作负载开关、课电路保护以及过载保护方案中。
  4. 电力转换: 本产品可用于逆变器应用,尤其是在可再生能源系统如太阳能和风能中的功率转换环节。

设计与兼容性

工程师在设计电路时,可以利用IRF840STRLPBF的多项技术参数来优化电路性能。较低的导通电阻让设计师在设计中考虑高效率的电源,同时,高耐压特性则可避免在高电压应用中的击穿风险。此外,该器件的栅极电荷(Qg)为63nC @ 10V,提供了优良的开关速度,因此在高频操作中表现突出。

结论

IRF840STRLPBF作为一款可靠、功能强大的N沟道MOSFET,以其出色的电气性能和宽广的应用范围,已经成为电力电子工程师的优选器件。其在高电压和高电流应用中的优越表现,使其在现代电子设备和电力系统中不可或缺。无论是在开关电源、电机控制,还是其他高功率应用中,IRF840STRLPBF都能够提供稳定、有效的解决方案。