类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 19A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V,11A |
功率(Pd) | 150W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 61nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.4nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF9540PBF 是一款由威世半导体(VISHAY)制造的高性能 P-沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其主要参数包括最大漏源电压为 100V、连续漏极电流为 19A,以及可耗散的功率高达 150W。该器件采用 TO-220AB 封装,适合多种工业和消费电子应用。
IRF9540PBF 可用于各种应用,包括但不限于:
IRF9540PBF 采用 TO-220AB 封装。这种封装形式提供了良好的散热性能和易于安装的特性,通孔设计使其能够轻松集成到各种电路板设计中。此外,TO-220AB 封装的尺寸和布局使之适合于更高功率密度的设计。
综上所述,IRF9540PBF 是一款性能卓越、应用广泛的 P-沟道 MOSFET,凭借其高电压、低导通电阻、宽工作温度范围以及良好的功率耗散能力,为设计工程师和市场提供了可靠的选择。无论是在工业自动化、高效电源管理,还是消费电子产品中,IRF9540PBF 都能发挥其强大的性能优势。相关设计人员可以根据其性能参数,将该产品整合到各自的电路设计中,以实现更高的整体系统效率和更优异的控制能力。