类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 7A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 520mΩ@10V,6.6A |
功率(Pd) | 170W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 52nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.423nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 8.1pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFB11N50APBF 是一款由 VISHAY(威世)公司制造的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。此 MOSFET 在设计中采用了先进的技术,具有出色的电气特性,广泛应用于各种高压、电流和功率的电力电子设备中。
漏源电压(Vdss): IRFB11N50APBF 的漏源电压额定值高达 500V,使其能够在高压应用中稳定运行。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 环境温度下,该器件能承受最高达 11A 的连续漏极电流,确保其在各类电流传输场景中表现优异。
导通电阻(Rds(on)): IRFB11N50APBF 在 10V 驱动电压下,6.6A 电流时的导通电阻为 520mΩ。这一低导通电阻值有助于降低功率损耗,这对于高效率电源设计尤为重要。
最大功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散能力达到 170W(当芯片温度 Tc 为 25°C 时),使其在大功率应用中具备良好的热管理特性。
栅源阈值电压(Vgs(th)): 对于驱动电路,IRFB11N50APBF 的栅源阈值电压为 4V(在 250µA 下),这意味着其在较低的栅压下就可以能够有效开启,简化了驱动电路的设计。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下,栅极电荷最大值为 52nC,低栅电荷值有助于提高开关速度和效率。
工作温度: 此器件支持宽工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,使其适用于严苛的环境条件。
封装: IRFB11N50APBF 采用 TO-220AB 封装,适合通孔安装,便于散热和布线,增加了设计灵活性。
IRFB11N50APBF 的高压和高电流能力,使其在许多领域都有广泛的应用,主要包括但不限于:
开关电源: 在用于 AC-DC 转换及 DC-DC 转换的开关电源中,IRFB11N50APBF 可以有效地提高转换效率,并降低电能损耗。
电动汽车: 由于其高耐压和大电流能力,该 MOSFET 可以用于电动汽车的驱动系统,确保可靠运行。
工业控制: 在工业自动化设备中,IRFB11N50APBF 被应用于驱动电机和其他高功率负载,以实现高效能和可靠控制。
LED 照明驱动: 该器件也可用于 LED 驱动器中,提升整个照明系统的性能和效率。
总体而言,IRFB11N50APBF 是一款强大的 N 沟道 MOSFET 解决方案,具有高耐压、低导通电阻和宽温度范围等特性,适合多种高性能电力电子应用。通过采用此 MOSFET,设计工程师可以在满足高效能要求的同时,确保设备的可靠性和稳定性。随着电源技术和电子设备的发展,IRFB11N50APBF 将继续发挥其重要角色,为电力电子领域带来更多创新动力。