IRFBE30PBF

IRFBE30PBF 产品概述

概述

IRFBE30PBF 是一款高性能的N沟道MOSFET，由VISHAY（威世）公司生产，专为高电压与高功率应用而设计。其封装类型为TO-220AB，具有良好的散热性能，适用于对功率有较高要求的电路。该器件广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域，凭借其卓越的参数特性，能够在严苛的工作环境中维持卓越的性能。

主要技术参数

1. 漏源电压 (Vdss): 800V

   • IRFBE30PBF 具备高达800V的漏源电压能力，使其能够在高压应用中稳定运行，减少电路故障风险。

2. 连续漏极电流 (Id): 4.1A @ 25°C

   • 在25°C环境温度下，该MOSFET能够承载最大4.1A的连续漏极电流，适合需要中等电流输出的设备。

3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250μA

   • 该品号具有相对低的阈值电压，表明其在较低的驱动电压下就能实现导通，便于与各种控制电路兼容。

4. 导通电阻 (Rds(on)): 3Ω @ 2.5A, 10V

   • 在2.5A、10V的条件下，漏源导通电阻为3Ω，有助于提高工作效率，减少在导通状态下的功耗。

5. 最大功率耗散: 125W （Ta = 25°C）

   • 该MOSFET支持高达125W的最大功率耗散，适合要求较高功率处理能力的应用，无需担心过载引发的损害。

6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

   • IRFBE30PBF的宽广工作温度范围，使其适合在各种环境条件下工作，从极低温到高温环境均可保持稳定性能。

7. 栅极电荷 (Qg): 78nC @ 10V

   • 较低的栅极电荷使得此器件在开关操作时更为快速、有效，这在高频操作中尤为重要。

封装与安装

IRFBE30PBF采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，约能够支持较高的功率损耗，同时方便通过通孔方式进行焊接。在电路板上安装时，该种封装形式有助于有效利用空间，并确保器件散热良好，持续提供性能。

应用领域

IRFBE30PBF的设计参量使其适用于多种应用，例如：

• 开关电源：在高压应用中，能够高效地切换状态，支持高频率开关操作，提升整体能效。
• 电机驱动：其稳定的驱动性能和高电流能力，使其成为电机控制电路的理想选择。
• 逆变器：在太阳能逆变器与其他类型的逆变器中，所需的高压和高电流能力能够有效提供。

结论

IRFBE30PBF是一款功能全面的高压N沟道MOSFET，拥有出色的电气特性和广泛的应用范围。其可在多种严苛环境下稳定运行，使其成为现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。无论在开关电源、电机驱动还是逆变器领域，IRFBE30PBF均能有效提升系统的性能与可靠性。