类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 4.1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3Ω@10V,2.5A |
功率(Pd) | 125W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 78nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.3nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 190pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFBE30PBF 是一款高性能的N沟道MOSFET,由VISHAY(威世)公司生产,专为高电压与高功率应用而设计。其封装类型为TO-220AB,具有良好的散热性能,适用于对功率有较高要求的电路。该器件广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域,凭借其卓越的参数特性,能够在严苛的工作环境中维持卓越的性能。
漏源电压 (Vdss): 800V
连续漏极电流 (Id): 4.1A @ 25°C
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250μA
导通电阻 (Rds(on)): 3Ω @ 2.5A, 10V
最大功率耗散: 125W (Ta = 25°C)
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
栅极电荷 (Qg): 78nC @ 10V
IRFBE30PBF采用TO-220AB封装,具备良好的散热性能,约能够支持较高的功率损耗,同时方便通过通孔方式进行焊接。在电路板上安装时,该种封装形式有助于有效利用空间,并确保器件散热良好,持续提供性能。
IRFBE30PBF的设计参量使其适用于多种应用,例如:
IRFBE30PBF是一款功能全面的高压N沟道MOSFET,拥有出色的电气特性和广泛的应用范围。其可在多种严苛环境下稳定运行,使其成为现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。无论在开关电源、电机驱动还是逆变器领域,IRFBE30PBF均能有效提升系统的性能与可靠性。