IRFBE30PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFBE30PBF

商品编码: BM0000281211
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
2.75g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 125W 800V 4.1A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
10684(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.65
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.65
--
1000+
¥3.5
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFBE30PBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)4.1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@10V,2.5A
功率(Pd)125W阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)78nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF
反向传输电容(Crss@Vds)190pF@25V工作温度-55℃~+150℃

IRFBE30PBF手册

IRFBE30PBF概述

IRFBE30PBF 产品概述

概述

IRFBE30PBF 是一款高性能的N沟道MOSFET,由VISHAY(威世)公司生产,专为高电压与高功率应用而设计。其封装类型为TO-220AB,具有良好的散热性能,适用于对功率有较高要求的电路。该器件广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域,凭借其卓越的参数特性,能够在严苛的工作环境中维持卓越的性能。

主要技术参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 800V

    • IRFBE30PBF 具备高达800V的漏源电压能力,使其能够在高压应用中稳定运行,减少电路故障风险。
  2. 连续漏极电流 (Id): 4.1A @ 25°C

    • 在25°C环境温度下,该MOSFET能够承载最大4.1A的连续漏极电流,适合需要中等电流输出的设备。
  3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250μA

    • 该品号具有相对低的阈值电压,表明其在较低的驱动电压下就能实现导通,便于与各种控制电路兼容。
  4. 导通电阻 (Rds(on)): 3Ω @ 2.5A, 10V

    • 在2.5A、10V的条件下,漏源导通电阻为3Ω,有助于提高工作效率,减少在导通状态下的功耗。
  5. 最大功率耗散: 125W (Ta = 25°C)

    • 该MOSFET支持高达125W的最大功率耗散,适合要求较高功率处理能力的应用,无需担心过载引发的损害。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

    • IRFBE30PBF的宽广工作温度范围,使其适合在各种环境条件下工作,从极低温到高温环境均可保持稳定性能。
  7. 栅极电荷 (Qg): 78nC @ 10V

    • 较低的栅极电荷使得此器件在开关操作时更为快速、有效,这在高频操作中尤为重要。

封装与安装

IRFBE30PBF采用TO-220AB封装,具备良好的散热性能,约能够支持较高的功率损耗,同时方便通过通孔方式进行焊接。在电路板上安装时,该种封装形式有助于有效利用空间,并确保器件散热良好,持续提供性能。

应用领域

IRFBE30PBF的设计参量使其适用于多种应用,例如:

  • 开关电源:在高压应用中,能够高效地切换状态,支持高频率开关操作,提升整体能效。
  • 电机驱动:其稳定的驱动性能和高电流能力,使其成为电机控制电路的理想选择。
  • 逆变器:在太阳能逆变器与其他类型的逆变器中,所需的高压和高电流能力能够有效提供。

结论

IRFBE30PBF是一款功能全面的高压N沟道MOSFET,拥有出色的电气特性和广泛的应用范围。其可在多种严苛环境下稳定运行,使其成为现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。无论在开关电源、电机驱动还是逆变器领域,IRFBE30PBF均能有效提升系统的性能与可靠性。