IRFP460BPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFP460BPBF

商品编码: BM0000281214
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
6.128g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 278W 500V 20A 1个N沟道 TO-247AC-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.46
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.46
--
500+
¥6.22
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFP460BPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)13A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,10A
功率(Pd)278W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)170nC@10V输入电容(Ciss@Vds)3.094nF
反向传输电容(Crss@Vds)13pF@100V工作温度-55℃~+150℃

IRFP460BPBF手册

IRFP460BPBF概述

产品概述:IRFP460BPBF

概述

IRFP460BPBF 是一款高性能的 N-沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),专为高电压和高电流应用而设计。这款MOSFET具有卓越的导电性能和高功率处理能力,适用于多种电源管理和开关应用。由于其出色的工作参数,IRFP460BPBF在工业、电力电子和电机控制领域得到了广泛应用。

主要技术参数

  • 漏源电压(Vdss): 500V
  • 连续漏极电流(Id): 20A(在25°C时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250μA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 250mΩ @ 10A,10V
  • 最大功率耗散(Pmax): 278W(Tc)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装类型: TO-247AC

性能特点

  1. 高电压和电流处理能力: IRFP460BPBF 可在高达500V的漏源电压下工作,并且在标准工作条件下拥有20A的连续漏极电流能力,适用于要求超过一般MOSFET的应用场合。

  2. 低导通电阻: 该器件的导通电阻 (Rds(on)) 为250毫欧,这意味着在导通状态下能够有效降低能量损耗,提升整体电路效率。这一特性尤其适合于高功率应用,如电动机驱动和电源开关。

  3. 广泛的温度适应性: IRFP460BPBF 在极端温度下仍能稳定工作,能够在-55°C到150°C的环境条件下可靠运行,这使得其广泛应用于汽车、工业和航空等领域。

  4. 优秀的开关特性: 最大栅极电荷 (Qg) 为170nC,这意味着在高频开关应用中,该MOSFET 可实现快速的开关响应,显著提升了开关频率和效率。

  5. 封装: TO-247AC封装设计提供良好的热管理能力,使得该器件在高功率条件下能够安全运行,并便于散热设计。

应用领域

IRFP460BPBF 的性能特点使其适用于多种应用场合,包括但不限于:

  • 电源转换器和逆变器:在高压直流到交流电源转换中,MOSFET的高效导通和低能量损耗显得尤为重要。
  • 电机驱动:在电机控制系统中,该型号凭借其优秀的电流处理能力和开关性能,适用于工业电机控制。
  • 高频开关电源:在要求高频率工作和高能效的电源设计中,使用IRFP460BPBF可以有效提高系统效率。
  • 电动汽车和混合动力汽车:该器件可用于电动汽车的驱动系统,提供高效的功率转换和控制。

结论

IRFP460BPBF 是一款兼具高电压、高电流和低导通电阻的 N-沟道MOSFET,凭借其在多种应用中的出色表现,成为电源管理和控制领域的重要元器件。无论是在电源设计、电机驱动还是汽车电子方面,IRFP460BPBF均展示了其卓越的适用性和性能表现,适合严苛的工作环境和高效的应用需求。如需进一步了解产品详情或需要技术支持,请联系 VISHAY(威世) 相关渠道。