类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 13A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 278W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 170nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.094nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 13pF@100V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFP460BPBF 是一款高性能的 N-沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),专为高电压和高电流应用而设计。这款MOSFET具有卓越的导电性能和高功率处理能力,适用于多种电源管理和开关应用。由于其出色的工作参数,IRFP460BPBF在工业、电力电子和电机控制领域得到了广泛应用。
高电压和电流处理能力: IRFP460BPBF 可在高达500V的漏源电压下工作,并且在标准工作条件下拥有20A的连续漏极电流能力,适用于要求超过一般MOSFET的应用场合。
低导通电阻: 该器件的导通电阻 (Rds(on)) 为250毫欧,这意味着在导通状态下能够有效降低能量损耗,提升整体电路效率。这一特性尤其适合于高功率应用,如电动机驱动和电源开关。
广泛的温度适应性: IRFP460BPBF 在极端温度下仍能稳定工作,能够在-55°C到150°C的环境条件下可靠运行,这使得其广泛应用于汽车、工业和航空等领域。
优秀的开关特性: 最大栅极电荷 (Qg) 为170nC,这意味着在高频开关应用中,该MOSFET 可实现快速的开关响应,显著提升了开关频率和效率。
封装: TO-247AC封装设计提供良好的热管理能力,使得该器件在高功率条件下能够安全运行,并便于散热设计。
IRFP460BPBF 的性能特点使其适用于多种应用场合,包括但不限于:
IRFP460BPBF 是一款兼具高电压、高电流和低导通电阻的 N-沟道MOSFET,凭借其在多种应用中的出色表现,成为电源管理和控制领域的重要元器件。无论是在电源设计、电机驱动还是汽车电子方面,IRFP460BPBF均展示了其卓越的适用性和性能表现,适合严苛的工作环境和高效的应用需求。如需进一步了解产品详情或需要技术支持,请联系 VISHAY(威世) 相关渠道。