类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 24A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 64mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 144W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@100uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 38nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.71nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 30pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFR4620TRLPBF 是一款由英飞凌公司(Infineon Technologies)生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET)。该器件专为高电流与高电压应用设计,其具有优异的导通性能与散热能力,是多种电子线路设计中不可或缺的组件。它的关键参数包括200V的漏源电压(Vds)、24A的连续漏极电流(Id)和144W的最大功率耗散能力,适用于需要高效能和可靠性的多种应用场景。
IRFR4620TRLPBF 的设计使其广泛应用于多个方向,包括但不限于:
IRFR4620TRLPBF 是一款功能齐全的 N 通道 MOSFET,体现了优良的性能与可靠性。其强大的额定参数以及多种应用场景使得它成为设计中一个理想的选择。在未来的电子设计中,IRFR4620TRLPBF 将在功率管理和控制方面继续发挥重要的作用,助力各种创新电子产品的开发。