集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 200mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@1mA,5V |
输入电阻 | 10kΩ | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DTC114TKAT146 是一款高性能 NPN 型数字晶体管,由知名电子元器件制造商 ROHM(罗姆)生产。该晶体管具有多种特性,使其在各类电子电路设计中应用广泛,尤其是在需要进行开关控制和信号放大等领域。
DTC114TKAT146 的额定功率为 200mW,这意味着该器件在正常工作条件下可以稳定地处理较高的功耗而不会损坏。在集电极电流(Ic)方面,最大值为 100mA,适用于多种电流驱动应用。而其集射极击穿电压(Vce)高达 50V,能够承受较高的电压,使其在高电压环境下也能够安全运行。
该晶体管具有良好的电流增益特性,最小的 DC 电流增益(hFE)为 100,出现在 1mA 的电流和 5V 的电压条件下。这意味着 DTC114TKAT146 能够有效地放大输入信号,实现较强的输出能力。此外,在特定条件下该器件的 Vce 饱和压降最大值为 300mV(在 1mA 和 10mA 下),确保了低功耗及高效率。
在截止状态下,DTC114TKAT146 的集电极电流截止最大值为 500nA(ICBO),表明在未激活状态下的漏电流非常小,这对提高设备的整体能效至关重要。
DTC114TKAT146 的跃迁频率达到 250MHz,这使得该晶体管能够在高频应用中表现出非常好的工作性能。高频响应能力适合用于快速开关应用,比如在无线通信、信号处理等领域。
DTC114TKAT146 采用 TO-236-3 (SOT-23-3) 的表面贴装封装,这一封装方式小巧轻便,适合现代电子设备对空间的要求。采用 SMT3 封装形式,还可以提高组装效率及缩短生产周期,使得在大规模生产中更经济有效。
凭借其优秀的参数,DTC114TKAT146 广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。具体应用场景包括但不限于:
综合来看,DTC114TKAT146 是一款值得推荐的 NPN 数字晶体管,凭借其出色的性能参数、较高的电压和电流处理能力,加上较小的封装尺寸,使其能够在多种应用场景中展现出优越的性能。无论是在设计高效电源还是在需要快速开关和信号处理的应用中,DTC114TKAT146 都是一款极具竞争力的选项。ROHM 的技术积累和质量保证也为该产品的可靠性提供了强有力的支持。因此,对于寻求高性能、高效能电子元器件的设计工程师而言,DTC114TKAT146 是一个理想的选择。