DTC114YUAT106 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DTC114YUAT106

商品编码: BM0000281278
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 70mA 1个NPN-预偏置 SOT-323
库存 :
366(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.424
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.424
--
200+
¥0.141
--
1500+
¥0.0883
--
3000+
¥0.0701
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC114YUAT106参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.4V@1mA,0.3V输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@5mA,0.25mA
输入电阻10kΩ电阻比率4.7
工作温度-55℃~+150℃

DTC114YUAT106手册

DTC114YUAT106概述

DTC114YUAT106产品概述

概述

DTC114YUAT106是一款高性能的NPN预偏置数字晶体管,专为电子设备中的开关和放大应用而设计。该元件由著名的半导体制造商ROHM(罗姆)生产,采用高效的表面贴装型(SMD)封装,型号为UMT3(SC-70/SOT-323),非常适合高密度电路设计及便携式电子产品。此晶体管在保持低功耗的同时,提供优良的电流增益和频率响应,满足现代电子设计的需求。

主要参数

  • 额定功率: DTC114YUAT106的额定功率为200毫瓦,适用于需要低功耗操作的应用场合。
  • 集电极电流 (Ic): 最大集电极电流为70毫安,能够驱动多种负载,确保在多种工作条件下的可靠性能。
  • 集射极击穿电压 (Vce): 集射极击穿电压最高可达到50伏,提供了较高的电压耐受能力,适合于电源和信号电路的多样化需求。
  • DC电流增益 (hFE): 在特定工作条件下(5毫安集电极电流和5伏集电极电压),该晶体管的直流电流增益最低为68,确保了能够提供有效的信号放大能力。
  • 饱和压降: 在250微安的基极电流和5毫安集电极电流下,最大Vce饱和压降仅为300毫伏,保证了优越的开关效率,降低了功耗。
  • 频率特性: 此器件的跃迁频率达到250MHz,为高速信号处理应用提供了支持,如高频开关和数字电路。

电路设计应用

DTC114YUAT106适合用于多种电子电路,包括:

  1. 开关电路: 该晶体管可用于电子开关,提供高效的开关控制,以调节电压和电流。
  2. 放大器: 由于其较好的电流增益特性,DTC114YUAT106可以用作小信号放大器,广泛应用于音频电路和信号处理。
  3. 驱动电路: 能够控制较大负载的电子负载,如LED驱动或小型电机驱动,为形式多样的应用提供支持。

安装及封装

DTC114YUAT106采用UMT3封装,属于表面贴装型(SMD)设计,适合自动化生产线的快速安装。同时,其小巧的封装降低了电路板空间的占用,适合于便携式及微型电子设备,如智能手机、可穿戴设备及其他消费电子产品。

性能优势

  1. 高效能: 由于其优越的频率响应和低饱和压降,DTC114YUAT106确保了高效的电路设计和更长的电池寿命,适合现代绿色电子设备的需求。
  2. 可靠性: 具有良好的电压和电流特性,能够在各种严苛的工作环境下稳定运行,提供有效的性能保障。
  3. 设计灵活性: 多种应用场景的适应性,使得DTC114YUAT106可以广泛用于客户定制化的各种设计中,提升了设计的灵活性和有效性。

结论

DTC114YUAT106是一款出色的NPN晶体管,凭借其高功率、高频率及优良的电流增益特性,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件。其广泛的应用潜力及小型化的封装设计,使之成为开发者理想的选择,无论是在新产品开发还是在现有产品的改进中,均能为用户提供可靠的性能和灵活的设计空间。通过合理的设计应用,DTC114YUAT106能够为各种电路系统提供优质的解决方案。