晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 5A |
集射极击穿电压(Vceo) | 150V | 功率(Pd) | 24W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 15@5A,5V | 特征频率(fT) | 90MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 110mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FZT855TA 是一款高功率 NPN 型晶体管,其设计旨在满足多种电子应用的需求,尤其适用于需要低饱和电压和高电流输出的场合。该器件具有较高的额定功率和电压能力,使其在工业和消费电子领域都有广泛的应用潜力。
FZT855TA 的集电极电流 Ic 阈值达到 5A,这使得该晶体管能够驱动较大的负载,适合用于功率放大和开关电路。其集射极击穿电压 Vce 的最大值为 150V,提供了良好的耐压特性,能有效防止电压波动对电路造成的损害。
FZT855TA 能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,工作温度范围为 -55°C 至 150°C。这种高温性能使得该元件可以在严苛的工业环境中正常工作。
在封装方面,FZT855TA 采用 SOT-223 表面贴装型封装,便于在现代电子设备中集成,特别适合于自动化生产。小巧的封装设计使其在空间有限的应用场景下更具优势。
FZT855TA 的性能特点使其适合于以下应用:
总而言之,FZT855TA 是一款性能优越的 NPN 型晶体管,凭借其高功率、电流输出能力及低饱和压降,适合广泛的电子应用。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域,FZT855TA 都展现出卓越的能力和可靠性,是设计师在选择晶体管时值得考虑的优质选项。