IRF9317TRPBF

IRF9317TRPBF 产品概述

概要

IRF9317TRPBF 是一款高性能的 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有优秀的电气特性和广泛的应用潜力。该产品由全球知名的半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，旨在满足各种低功耗电子设备的需求。其相对较小的封装形式（SO-8）使其在空间受限的设计中非常受欢迎，同时具备出色的热性能和电气性能。

核心规格

• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 最大连续漏极电流（Id）: 16A（在 25°C 环境温度条件下）
• 导通电阻（Rds(on)）: 6.6 毫欧（在 10V 时，流经电流为 16A）
• 栅极驱动电压（Vgs）: 4.5V（最小）至 10V（最大）
• Vgs(th)（阈值电压）: 最高 2.4V（在 50µA 流过时）
• 栅极电荷 Qg: 最大 92nC（在 10V 时）
• 输入电容 Ciss: 最大 2820pF（在 15V 下）
• 功率耗散: 最大 2.5W
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 封装形式: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

功能与应用

IRF9317TRPBF 的设计使其非常适合用于电源管理、电机驱动、负载开关和其他需要高电流控制的装置。其低导通电阻特性（Rds(on) 6.6 毫欧）使其在高效能应用中表现优异，有助于降低功耗并提高系统的整体效率。

此外，该MOSFET还具备宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，使得其在极端环境下依然能够稳定工作，满足自动化、汽车电子及工业设备等严苛应用的需求。

电气特性

该设备的阈值电压（Vgs(th) 最大 2.4V）确保其在低电压驱动下也能够迅速开启，展现出良好的开关特性。同时，较低的栅极电荷（Qg 92nC）使其在高频开关应用中表现出色，能够提升开关频率，从而减少开关损耗。

封装与安装

IRF9317TRPBF 采用 8-SOIC 封装，适合表面贴装（SMD）技术，提供简单的安装机制。这种小型封装极大地减少了PCB 板的空间占用，同时也简化了焊接工艺，非常适合现代紧凑电子设备的设计要求。

竞争优势

作为英飞凌的产品，IRF9317TRPBF 的可靠性与质量有保障，适用于多种应用，同时通过其强大的电气参数和耐用性确保在各种应用中表现出色。凭借优越的性能和适中的价格，该MOSFET成为市场上竞争力强的选择。

结论

IRF9317TRPBF MOSFET 的一种卓越的 P 通道场效应管，不仅体现了高效率和稳定性，还为设计工程师提供了极大的灵活性。无论是在电源管理、电动机驱动，还是在负载开关等多种应用场景中，IRF9317TRPBF 都是理想的解决方案。其小巧的 SO-8 封装和极佳的 thermal性能，使其在众多现代电子设备中的采用变得更加广泛。