类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 19A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@10V,10A |
功率(Pd) | 68W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 620pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 140pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRF9Z34NPBF 是一款先进的 P 沟道 MOSFET(场效应管),由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产。该器件在电力电子应用中被广泛使用,因其出色的性能和高可靠性。本文将详细解析 IRF9Z34NPBF 的关键参数、应用及其在电子设计中的重要性。
IRF9Z34NPBF 的主要技术规格如下:
IRF9Z34NPBF 的设计使其在多个电子应用中表现出色,常见的应用包括:
IRF9Z34NPBF 作为 P 沟道 MOSFET 的优势在于其适用于负载开关应用时能够提供较低的导通损耗,降低系统的整体温升,从而延长设备的使用寿命。此外,其高工作温度范围和优良的热管理能力使其在各种恶劣环境下依然可以稳定工作。
IRF9Z34NPBF 是一款卓越的 P 沟道 MOSFET,其设计不仅注重性能与效率,还兼顾了成本效益,极大地满足了现代电力电子设备对高效、可靠组件的需求。凭借其丰富的应用领域及强大的性能参数,IRF9Z34NPBF 不仅增强了电源管理系统的整体性能,也为高效能电子设备的设计提供了坚实的基础,是电气工程师和设计师不可或缺的元件选择。对于未来的电子设计,选择合适的 MOSFET 是推动技术进步和提升系统效率的关键,IRF9Z34NPBF 则为此目标的实现提供了理想解决方案。