类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 110A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,59A |
功率(Pd) | 200W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 170nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 480pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
概述
IRFP064NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于电源管理、逆变器和功率开关等领域。凭借其可靠的性能、优越的热管理和出色的导通电阻特性,IRFP064NPBF 适合于需要高功率和高效率的应用场景。
关键特性
应用领域
IRFP064NPBF 的高性能参数使其在多个行业和应用中表现突出:
产品封装与安装
IRFP064NPBF 采用 TO-247AC 封装,这种硬件结构有助于散热性能的提升,满足高功率应用对热管理的需求。通孔安装方式使得其在 PCB 上的安装简单、方便,同时确保良好的导热性能。在多个电力应用中,采用 TO-247 封装的产品通常可提供更好的散热状态和强度。
环境和可靠性
该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围,能够在 -55°C 到 +175°C 的环境条件下稳定运行。这一特性使得 IRFP064NPBF 非常适合于极端环境下的应用,确保了其长期的可靠性和稳定性。此外,IRFP064NPBF 符合多项环保标准,是一款环保型产品,适合于现代绿色电子设备中的使用。
总结
IRFP064NPBF 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和强大的 Thermal Performance,以及广泛的应用适用性,成为电源管理、电机驱动及高频开关设计中的理想选择。无论是在高温、高电流环境中,或是在对功率转换效率有高度要求的应用场合,IRFP064NPBF 都能提供可靠、优质的解决方案。