类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 55V |
连续漏极电流(Id) | 49A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17.5mΩ@10V,25A |
功率(Pd) | 3.8W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 63nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.47nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 88pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
IRFZ44NSTRLPBF 是一款高性能的 N 级通道 MOSFET,由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产。该器件的技术支持高效能和高可靠性的电子应用,适用于各种电力转换和控制电路。
IRFZ44NSTRLPBF 的栅极驱动电压 (Vgs) 最大值为 ±20V,适应多种驱动电路设计。在栅极电荷 (Qg) 为 63nC(在 10V 驱动下)时,反映出其在开关和驱动时的快速响应特性,有助于提高整体回路的工作频率。
本产品的最大功率耗散为 3.8W(Ta)和 94W(Tc)。这种高功率处理能力配合良好的热设计,可以确保该器件在高负载条件下的稳定性和可靠性,适合于严苛的工业环境。同时,IRFZ44NSTRLPBF 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 175°C,满足高温环境下的应用需求。
IRFZ44NSTRLPBF 使用 D2PAK 封装,这种表面贴装型设计能够有效地提高电路板的空间利用率并便于自动化组装。同时,D2PAK 封装具有优秀的热特性,帮助管理器件在运行过程中的热量释放。
IRFZ44NSTRLPBF 适用于多个应用场景,包括但不限于:
该MOSFET因其高效能和高可靠性的特性,使其成为各种电力电子设计中的理想选择。
IRFZ44NSTRLPBF 是一款具备高电流承载能力及良好热管理特性的 N 通道 MOSFET,适合于多种工业及消费类应用。其出色的导通电阻、输入电容和高响应速度,使其在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是在开关电源、 motor驱动还是其他高负载与高频率要求的电路中,该MOSFET都表现出了极大的适应性和优势。