IRFZ44NSTRLPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRFZ44NSTRLPBF

商品编码: BM0000281363
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
D2PAK
包装 : 
编带
重量 : 
2.343g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.8W;94W 55V 49A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
4044(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.4
按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.4
--
100+
¥2.72
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFZ44NSTRLPBF参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)49A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17.5mΩ@10V,25A
功率(Pd)3.8W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.47nF
反向传输电容(Crss@Vds)88pF@25V工作温度-55℃~+175℃

IRFZ44NSTRLPBF手册

IRFZ44NSTRLPBF概述

IRFZ44NSTRLPBF 产品概述

基础信息

IRFZ44NSTRLPBF 是一款高性能的 N 级通道 MOSFET,由知名半导体制造商 Infineon(英飞凌)生产。该器件的技术支持高效能和高可靠性的电子应用,适用于各种电力转换和控制电路。

主要特性

  1. 漏源电压 (Vdss): 本器件的最大漏源电压为 55V,使其适用于多个中高电压应用场景。
  2. 连续漏极电流 (Id): IRFZ44NSTRLPBF 支持在 25°C 环境下最大连续漏极电流为 49A(Tc)。这意味着在适当的散热条件下,该MOSFET能够承载较大的负载电流,非常适合用于电机驱动、开关电源等需要高电流的场合。
  3. 导通电阻 (Rds On): 在 Vgs 为 10V 并且 Id 为 25A 时,本器件的导通电阻最大值为 17.5毫欧,充分表现出其优越的导电特性,能有效减少功耗和热量生成。
  4. 输入电容 (Ciss): 在 25V 时,输入电容(Ciss)最大值为 1470pF。这一特性有利于高频开关应用中,降低驱动电路的负载。

驱动特性

IRFZ44NSTRLPBF 的栅极驱动电压 (Vgs) 最大值为 ±20V,适应多种驱动电路设计。在栅极电荷 (Qg) 为 63nC(在 10V 驱动下)时,反映出其在开关和驱动时的快速响应特性,有助于提高整体回路的工作频率。

热管理

本产品的最大功率耗散为 3.8W(Ta)和 94W(Tc)。这种高功率处理能力配合良好的热设计,可以确保该器件在高负载条件下的稳定性和可靠性,适合于严苛的工业环境。同时,IRFZ44NSTRLPBF 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 175°C,满足高温环境下的应用需求。

封装与安装

IRFZ44NSTRLPBF 使用 D2PAK 封装,这种表面贴装型设计能够有效地提高电路板的空间利用率并便于自动化组装。同时,D2PAK 封装具有优秀的热特性,帮助管理器件在运行过程中的热量释放。

应用领域

IRFZ44NSTRLPBF 适用于多个应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理和转换
  • 电机控制和驱动电路
  • 开关电源(如DC-DC转换器)
  • 高频开关应用
  • 直流负载的驱动控制

该MOSFET因其高效能和高可靠性的特性,使其成为各种电力电子设计中的理想选择。

总结

IRFZ44NSTRLPBF 是一款具备高电流承载能力及良好热管理特性的 N 通道 MOSFET,适合于多种工业及消费类应用。其出色的导通电阻、输入电容和高响应速度,使其在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是在开关电源、 motor驱动还是其他高负载与高频率要求的电路中,该MOSFET都表现出了极大的适应性和优势。