驱动配置 | 半桥 | 负载类型 | MOSFET;IGBT |
驱动通道数 | 2 | 峰值灌电流 | 650mA |
峰值拉电流 | 400mA | 电源电压 | 17V |
上升时间 | 50ns | 下降时间 | 30ns |
工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
L6386ED013TR 是一款高性能半桥栅极驱动器,由意法半导体(STMicroelectronics)提供,适用于各种应用场景,如电机驱动、电源转换及开关型电源等。此元器件采用14-SOIC(0.154",3.90mm宽)封装,专为满足独立驱动两个N沟道MOSFET或IGBT而设计,具有优异的驱动能力和开关性能。
L6386ED013TR 采用 14-SOIC 封装,便于表面贴装(SMT),适合高密度电路板布局。其尺寸设计符合工业标准,可以与其他标准组件轻松集成,为PCB设计提供灵活性。
该产品具有半桥驱动配置,包括两个独立的驱动通道。每个通道均配备相应的输出级,能够有效驱动N沟道MOSFET和IGBT,从而提供强大的功率管理能力。这种独立通道设计允许用户灵活控制负载,提高了系统设计的灵活性。
L6386ED013TR 的电源电压范围高达17V,能够满足大部分高压驱动需求,适应各种应用环境。逻辑输入电压(VIL,VIH)范围为1.5V至3.6V,使其能够与最低3.3V的数字逻辑电平无缝对接。峰值输出电流分别为400mA(灌入)和650mA(拉出),确保了快速充放电,满足快速开关应用的性能需求。
该驱动器特点是上升时间与下降时间分别为50ns和30ns,典型的快速开关响应时间使其适合高频开关应用,能够有效降低开关损耗,提高系统效率。此外,该器件设计有反相输入类型,为用户提供更多的操作灵活性和设计便利性。
L6386ED013TR 的工作温度范围为-40°C至150°C(TJ),这使得它能够在严酷和极端的环境条件下稳定运行,特别适合汽车、工业及高温环境下的应用,有助于提升产品的长期可靠性。
L6386ED013TR 的湿气敏感性等级(MSL)为1,表明其具有极高的抗潮湿能力,可以在无特殊保护的情况下处理和存储,适合在各种生产环境中使用。
由于其高效率与出色的电气性能,L6386ED013TR 被广泛应用于以下几个领域:
L6386ED013TR 半桥栅极驱动器以其出色的性能、宽广的工作温度范围和可靠性,成为多个应用领域内的理想选择。无论是在电动机驱动还是电源管理方面,其卓越的设计和功能都使其成为工程师和设计师的热门选项。通过集成此款驱动器,用户可以显著提升其系统的工作效率和整体性能。