输入失调电压(Vos) | 3mV | 输入偏置电流(Ib) | 100nA |
工作电压 | 5V~30V;2.5V~15V | 输出类型 | 开射;开集 |
输出模式 | MOS;RTL;DTL;TTL | 每个通道供电电流 | 6mA |
工作温度 | -40℃~+105℃ |
LM211DT 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能比较器,专为广泛的应用场景而设计。该器件可支持多种输出类型,包括 DTL(二项逻辑电平)、MOS、开路集电极、开路发射极、RTL(电阻-传输逻辑)和 TTL(晶体管-晶体逻辑),从而实现灵活的电路设计。作为一款通用比较器,LM211DT 不仅提供优异的性能,还具备较宽的工作温度范围与供电电压,使其适用于各种工业和消费类电子产品。
工作温度范围: LM211DT 的工作温度范围为 -40°C 至 105°C,能够在极端环境下稳定工作,适合汽车、工业控制及户外设备等要求严苛温度条件的应用。
电源电压范围: 本器件支持 5V 至 30V 的单电源供电,或者 ±2.5V 至 ±15V 的双电源供电,极大提高了设计的灵活性,能够满足不同电源配置的需求。
低偏置电流和高输出电流: LM211DT 的输入偏置电流最大仅为 0.1µA,而输出电流的典型值可达到 50mA。这使得该比较器在对输入信号检测时具有高灵敏度,同时能够驱动负载。
低静态功耗: 该比较器在正常操作时的静态功耗仅为最大 6mA,使其在长期使用中具备较高的能量效率,适合电池供电的应用。
输入补偿电压: 输入补偿的最大值为 3mV(在 ±15V 的电源条件下),这意味着在设计电路时可以更好地处理小信号的检测,提高了电路的鲁棒性。
封装形式: LM211DT 采用 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)封装,适合表面贴装,并为现代电子产品的紧凑设计提供了便利。
由于 LM211DT 的高性能特性,它适用于众多领域和应用场景,例如:
LM211DT 作为一款高性能、低功耗的比较器,将稳定性、灵活性和高效能有机结合,为设计人员提供了理想的解决方案。无论是在汽车电子、工业控制,还是消费类电子产品中,LM211DT 都展现出了卓越的性能,并以其可靠性为众多应用提供了一种强有力的支持。通过选用 LM211DT,设计人员可以简化电路设计,提高产品的整体性能和市场竞争力。