正向压降(Vf) | 700mV@1A | 直流反向耐压(Vr) | 60V |
整流电流 | 1A | 反向电流(Ir) | 500uA@60V |
B160B-13-F 是一款高性能的肖特基二极管,由知名电子元器件制造商DIODES(美台)生产。该二极管在许多电子设备中广泛应用,尤其适用于需要高效能、快速开关和低正向压降的场合。
直流反向耐压(Vr): B160B-13-F 的最大直流反向耐压为60V,这意味着它能够承受较高的反向电压而不会发生失效。这一特性使其非常适合在高电压应用中使用。
平均整流电流(Io): 该二极管的平均整流电流为1A,足以满足许多消费电子设备、电源适配器、DC-DC转换器和其它需要恒定电流的应用场合。
正向压降(Vf): 在1A的正向电流下,B160B-13-F的正向压降仅为700mV。低正向压降能有效降低功率损耗,提高能量转化效率,特别是在热管理尤其重要的高密度电路中表现优秀。
反向泄漏电流: 在60V的反向电压下,B160B-13-F的反向泄漏电流为500µA。这一指标对于保证在高温和高电压环境下的稳定性极为关键。
速度: 该二极管具备快速恢复特性,恢复时间≤500ns,并且在> 200mA的电流下表现良好。这使得它在高频开关电源和其他快速切换的应用中表现出色。
不同Vr时电容: 在4V, 1MHz的条件下,该二极管的电容为110pF。这一值较低的电容使得它在高频应用中具有良好的性能,减少输入输出信号之间的干扰。
B160B-13-F采用DO-214AA(SMB)封装,属于表面贴装型(SMD)。这种封装形式不仅适合自动化贴片装配,提高了生产效率,同时也使得整机设计更为紧凑,适应现代电子设备对空间的苛刻要求。
该二极管的工作温度范围广泛,从-65°C至150°C。这一特性使得B160B-13-F非常适合在极端气候条件下使用,比如汽车电子、工业设备及航天应用等场景。
B160B-13-F的多种特性使其在各类电子电路中具备广泛的应用前景。它适用于:
总体而言,B160B-13-F是一个在多个应用场景中表现优异的肖特基二极管,其低正向压降、高反向耐压、宽工作温度范围和快速恢复特性都使其成为电子工程师的理想选择。对于需要高效率和稳定性能的现代电子设备,B160B-13-F无疑是一个极佳的选择。选择DIODES公司提供的B160B-13-F,意味着选择了品质与性能的保证。在未来的电子设计中,B160B-13-F将帮助工程师们追求更高的性能和更低的能耗,推动电子技术的不断发展与创新。