二极管配置 | 独立式 | 正向压降(Vf) | 1.25V@200mA |
直流反向耐压(Vr) | 250V | 整流电流 | 200mA |
反向电流(Ir) | 1uA@200V | 反向恢复时间(trr) | 50ns |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BAS21LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)公司制造的高性能开关二极管,采用 SOT-23-3(TO-236)封装,旨在满足各种电子设备中的快速开关和整流应用。其相对较小的尺寸、良好的热管理特性以及高效的电气性能,使得该二极管非常适合用于消费类电子产品、汽车电子、通信设备等多种应用。
BAS21LT1G 采用 SOT-23 封装,这种表面贴装型(SMD)封装具有轻便、小巧、高度集成的优势,使其能够更容易地应用于现代紧凑型电路板。同时,其可靠的焊接和耐热性确保了在高温环境下的良好性能。
当电压为 200V 时,反向泄漏电流仅为 100nA,这表明 BAS21LT1G 的材料和构造设计能够有效抑制不必要的电流泄漏,提升电路的可靠性。此外,在 1MHz 频率下,该二极管的电容为 5pF,这一参数使得在高频应用中,器件能够保持良好的工作特性,不会出现显著的信号衰减。
BAS21LT1G 可以广泛应用于如下领域:
总体而言,BAS21LT1G 是一款具备了快速开关特性、良好电流承载能力及高可靠性的小信号开关二极管,凭借其优越的电气和温度特性,适合于广泛的应用场景。无论是在高要求的电子产品中,还是在普通的消费类电子设备中,BAS21LT1G 都是一种值得考虑的理想选择。