BC857BW-7-F 产品实物图片
BC857BW-7-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BC857BW-7-F

商品编码: BM0000281564
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 45V 100mA PNP SOT-323-3
库存 :
5682(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.107
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.107
--
3000+
¥0.085
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC857BW-7-F参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)125@2mA,5V特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)4uA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)75mV@10mA,0.5mA
工作温度-65℃~+150℃

BC857BW-7-F手册

BC857BW-7-F概述

产品概述:BC857BW-7-F PNP 晶体管

BC857BW-7-F 是由美台 (DIODES) 生产的一款高性能 PNP 型晶体管,广泛应用于各种电子电路和设备中。作为一款小功率、低功耗的电子元器件,它在信号放大、开关操作以及信号调制等多个领域展现出卓越的性能和可靠性。

主要参数

  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极电流 (Ic):最大额度为 100mA,适用于低功耗电路的设计。
  • 集射极击穿电压 (Vce):具有 45V 的高击穿电压,为电路提供了优越的抗干扰能力。
  • 额定功率:200mW 的额定功率能够满足大部分应用需求,确保在正常工作条件下的稳定性。
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在 5mA 和 100mA 的电流下,最大饱和压降为 650mV,有助于提高电路的效率。
  • 截止电流 (ICBO):最大截止电流为 15nA,表明其用于低漏电流应用的能力。
  • 直流电流增益 (hFE):在 2mA 和 5V 的条件下,最小电流增益为 220,确保了良好的放大性能。
  • 频率 - 跃迁:具有200MHz 的跃迁频率,适应高频信号的处理需求。
  • 工作温度范围:-65°C 至 150°C 的广泛工作温度范围,使其在极端环境下依然表现稳定。
  • 安装类型:表面贴装型设计,适用于现代制造工艺。
  • 封装/外壳:采用 SC-70, SOT-323 封装,适合空间有限的应用场景。

应用领域

BC857BW-7-F 晶体管主要应用于以下领域:

  1. 信号放大器:得益于其高带宽和增益,BC857BW-7-F 常用于音频放大器、传感器信号放大等场合。
  2. 开关电路:凭借其较大的集电极电流和快速的开关响应,此晶体管在开关电源、LED 驱动电路中表现出色。
  3. 电流源或电流镜电路:由于其低截止电流,BC857BW-7-F 可用作精密电流源和电流镜,适合各种线性电路设计。
  4. 高频应用:在数据通讯和无线通信设备中,200MHz 的跃迁频率能够支持高频率调制和解调操作。

设计注意事项

在使用 BC857BW-7-F 时,需要注意以下几点:

  • 热管理:虽然该晶体管的额定功率为 200mW,但在高负载情况下,需要合理设计散热方案,以避免热失控和性能下降。
  • 偏置电路:确保适当的基极偏置电流,以发挥其最佳性能,避免因过低或过高的偏置而导致增益不稳定或饱和。
  • 信号完整性:在高频应用中,要注意 PCB 布局,尽量缩短信号路径以减少 parasitic 电感和电容,确保信号质量。

总结

BC857BW-7-F 是一款性能卓越、应用广泛的 PNP 晶体管,适合各种低功耗和高频信号处理的场合。其高耐压、低饱和压降和良好的增益特性使其在现代电子电路设计中成为了不可或缺的组成部分。无论是在专业的工业应用还是家用电子产品中,BC857BW-7-F 的可靠性和灵活性使其能够满足多种设计需求,是设计工程师值得信赖的选择。