BUK9Y19-100E,115

BUK9Y19-100E,115 产品概述

1. 产品简介

BUK9Y19-100E,115 是一款高性能的N沟道MOSFET，专为需要高效率和可靠性的电子应用而设计。其主要优势在于其低导通电阻、高漏源电压和大电流承载能力，使其在各种电源管理和开关应用中表现优异。由全球知名的半导体制造商Nexperia（安世）提供，BUK9Y19-100E,115 常用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域。

2. 主要参数

• 漏源电压（Vdss）：该MOSFET的最大漏源电压为100V，这使其适用于需要高电压开关的应用。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，BUK9Y19-100E,115能支持高达56A的连续漏极电流，确保在高载荷工作条件下稳定运行。
• 栅源极阈值电压：其栅源极阈值电压为2.1V @ 1mA，表明该器件在开启时所需的最低栅电压较低，便于与多种逻辑电平兼容。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：在15A和10V栅电压下，BUK9Y19-100E,115的漏源导通电阻仅为18mΩ，极大降低了开关损耗，提高了电源的运行效率。
• 最大功率耗散：在25°C的环境温度下，其最大功率耗散为167W，这保障了其在高功率应用中的稳定性和安全性。
• 工作温度范围：该器件能够在-55°C至175°C的广泛温度范围内稳定工作，适应极端的环境条件。

3. 应用领域

BUK9Y19-100E,115 适用于多种电子元件的设计和应用，特别是在以下几个重要领域中广受青睐：

• 汽车电子：用于电动汽车和传统汽车的动力管理系统，电动助力转向（EPS），以及各类传感器和致动器。
• 电源管理：在开关电源（SMPS）中作为主要的开关元件，能够高效地调节电压并降低能耗。
• 通信设备：在移动通信及网络设备中，用作信号放大器和开关，确保信号的稳定和高效传输。
• 工业控制：用于电机驱动和其他自动控制系统，帮助实现高效的能源转换和减少机械断裂。

4. 封装及安装

BUK9Y19-100E,115 采用多种封装类型，包括LFPAK56和Power-SO8，便于在多种PCB设计中进行表面贴装。其SC-100和SOT-669的封装形式，适合高密度的恩智浦材料设计，可在有限空间内实现良好的热管理和电气性能。

5. 性能优势

• 低导通损耗：低Rds(on)提供更小的热耗散，能够提高系统整体效率，是高功率和高频应用的理想选择。
• 高可靠性：广泛的工作温度范围和优秀的电流承载能力，使得BUK9Y19-100E,115能够在严酷条件下保持高效运行。
• 卓越的开关特性：快速的开关响应时间和低栅极电荷(Qg)确保了高频操作下的效率，使其在开关电源和DC-DC转换器中的使用愈加广泛。

6. 结论

BUK9Y19-100E,115 是一款出色的N沟道MOSFET，不仅具备卓越的电气特性，还具有多样的应用场合。无论是在电源管理、汽车电子还是工业控制等领域，该产品都能够满足高效、安全和可靠的需求，是现代电子元件设计中不可或缺的重要选择。