类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 80V |
连续漏极电流(Id) | 161A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3mΩ@10V,50A |
功率(Pd) | 139W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.8V@95uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 61nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.6nF@40V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 56pF@40V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品概述:BSC030N08NS5ATMA1
引言: BSC030N08NS5ATMA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,专为需要高效能和高可靠性的应用而设计。作为英飞凌(Infineon)的一员,该器件脱颖而出,能够满足现代电子设计日益增长的需求,广泛应用于电源转换、马达驱动、工控设备以及汽车电子等领域。
技术特点:
电压和电流能力: BSC030N08NS5ATMA1 具有高达 80V 的漏源电压(Vdss),并能够承受最高 100A 的连续漏极电流(Id,Tc)。这一特性使其非常适合于高功率应用,在电流负载较大的情况下也能确保稳定的性能。
导通电阻: 本产品在 10V 的栅极驱动电压下,最大导通电阻(Rds(on))仅为 3 毫欧 @ 50A。这一极低的导通电阻使其在低损耗和高效率方面表现出色,确保在开关过程中的电能转换损耗降至最低,提高整体能量利用效率。
栅极特性: BSC030N08NS5ATMA1 在不同 Id 和 Vgs 条件下的栅极电压阈值(Vgs(th))最高可达 3.8V @ 95µA,确保了对栅极的灵敏控制与高效驱动。同时,该器件在 10V 下的栅极电荷(Qg)可达到最大 76nC,优化了开关性能,适用于高频开关应用。
输入电容与频率响应: 该 MOSFET 的最大输入电容(Ciss)在 40V 下为 5600pF,提供了良好的频率响应特性。这使得其在高频开关应用中表现优异,能够快速响应开关信号,适合于开关电源(SMPS)和类模拟应用。
散热性能: BSC030N08NS5ATMA1 的功率耗散能力非常出色,在环境温度下(Ta)可承受 2.5W 的功率损耗,而在结温条件下(Tc)则可达到 139W。这一特性使其能够在温度波动较大的环境中运行,提升了长期稳定性和可靠性。
工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,能够满足极端应用场景的需求,从工业设备到汽车应用都能稳定运行。
封装与安装: BSC030N08NS5ATMA1 的封装类型为 8-PowerTDFN(PG-TDSON-8-7),采用表面贴装技术(SMT),实现了更紧凑的电路设计和更高的集成度,便于自动化生产与组装。
应用领域:
BSC030N08NS5ATMA1 由于其优异的电气特性和可靠性,被广泛应用于各类电源管理系统,包括:
总结:
作为一款高性能的 N 通道 MOSFET,BSC030N08NS5ATMA1 具备了低导通电阻、卓越的电流承载能力、高效的散热性能及宽广的工作温度范围,充分满足了现代电子应用的需求。凭借其出色的电气特性与可靠的工作性能,英语可以在不同行业中的多种应用中发挥作用,是技术人员及工程师的理想选择。无论是在设计初期还是在产品研发阶段,BSC030N08NS5ATMA1 都能为用户提供一个值得信赖的解决方案。