类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 470mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 900mΩ@4.5V,280mA |
功率(Pd) | 417mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 680mV@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.2nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 110pF@24V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
BSH203 和 BSH215 是由 Nexperia(安世)提供的 P 沟道 MOSFET 元件,专为多种电子应用而设计。这些组件具备良好的性能参数,适合在低功率和中等功率的开关以及线性应用中使用。它们采用了现代化的 MOSFET 技术,提供更高的效率和更低的电源损耗,尤其适合于电源管理、负载开关和模拟信号处理等场合。
漏源电压(Vdss):30V。该电压代表组件在工作时能够承受的最大漏源电压,有助于确保其在一些高电压应用中的安全运行。
连续漏极电流(Id):在 25°C 时可达 470mA。此参数显示了在标准条件下组件能够安全传输的电流大小,是设计中负载能力的重要指标。
漏源导通电阻(Rds On):900mΩ @ 280mA, 4.5V。较低的导通电阻使得该 MOSFET 在工作时能有效降低功耗,提升系统效率。
栅源极阈值电压(Vgs(th)):680mV @ 1mA。此参数指示了打开 MOSFET 所需的最低栅源电压,是影响开关速度和控制电路设计的关键因素。
最大功率耗散:417mW(在 25°C 时)。此功率耗散限制确保了元件的稳定性和可靠性,在选择合适的散热机制时需加以考虑。
工作温度范围:-55°C 至 150°C。广泛的工作温度范围使得 BSH203 和 BSH215 可以适用于各种苛刻的环境条件,特别是在汽车电子和工业设备中。
封装类型:TO-236AB,或者称作 SOT-23。小型表面贴装封装适合于现代紧凑型电路板设计,便于实现高密度布局。
BSH203 和 BSH215 的设计使得它们非常适合各种应用场合,包括但不限于:
高效率:通过采用低 Rds On 设计,减少了功耗,提升整体效率,特别是在开关频率不断提高的应用中更显优势。
宽电压范围:30V 的漏源电压和多种电流规格,为设计师提供了更多灵活性,确保在不同工作的需求下都有良好的表现。
小型化设计:TO-236AB 封装的采用,使得元件尺寸更小,有助于现代设计中实现高密度集成,有利于节省空间。
高温耐受性:其广泛的温度范围为设备在极端环境下的稳定运行提供保障,在军事、航空航天等领域尤为重要。
BSH203 和 BSH215 作为现代 P 沟道 MOSFET 的代表,不仅具备优秀的电气性能和广泛的应用潜力,同时也符合当前电子产品对于小型化和高效能的需求。在进行基于 MOSFET 的电路设计时,选择 BSH203 或 BSH215 作为关键元件,可以确保系统运行稳定、效率高。无论是在消费电子、汽车、工业控制还是其他领域,这些元件都能发挥出色的性能。