类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 49A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21.5mΩ@15A,10V |
功率(Pd) | 147W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.1V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35.8nC@5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.64nF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
BUK9Y22-100E,115 是一款高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商Nexperia(安世)生产。该元器件专为高电流、高电压应用设计,具有出色的功率效率和热性能,广泛适用于电源管理、电动汽车、工业控制以及高频开关电路等领域。
BUK9Y22-100E,115的N沟道配置使其在开关频率较高的应用中表现优异,适用于电源转换器、DC-DC转换器、马达驱动器和其他功率电子设备。由于其具有较低的导通电阻,能够在较高的电流下进行高效转换,显著降低功率损耗和发热,提高系统整体可靠性。
由于该元器件的Vdss为100V,它可以有效地适应包括高电压供电系统在内的多种应用场景。工作温度范围达到-55°C至175°C,保证了其在极端环境下的稳定性,进一步拓宽了使用范围,特别适合军事、航空航天及户外设备等苛刻条件下的需求。
BUK9Y22-100E,115的设计还考虑了输入电容(Ciss)的优化,最大值为4640pF,这为高频率操作提供了良好的兼容性。较小的栅极电荷提高了开关速度,降低了驱动电路的复杂性,适合快速开关应用的发展趋势。
此外,MOSFET的最大栅源电压(Vgs)为±10V,这给予设计人员更大的灵活性来选择驱动电压,使得设计既简单又成本有效。设备的持续漏极电流高达49A,使得BUK9Y22-100E,115成为大型电流应用的理想选择,能够承受瞬时电流要求,确保其他电路元件在电流高峰期间不受到损害。
综上所述,BUK9Y22-100E,115是一款高效、可靠且适用范围广的N沟道MOSFET产品。凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围和高功率处理能力,该产品无疑是现代功率电子设备的优秀选择,能够满足多种工业及消费电子应用的要求。无论是在电动汽车、电源转换领域,还是在高效能的可再生能源系统中,BUK9Y22-100E,115都是确保性能与效率的关键元器件。