BUK9Y22-100E,115

产品概述：BUK9Y22-100E,115 N沟道MOSFET

1. 产品简介

BUK9Y22-100E,115 是一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商Nexperia（安世）生产。该元器件专为高电流、高电压应用设计，具有出色的功率效率和热性能，广泛适用于电源管理、电动汽车、工业控制以及高频开关电路等领域。

2. 主要规格

• FET配置: N沟道
• 漏极电流（Id, 连续）: 49A @ 25°C
• 阈值电压（Vgs(th)）: 2.1V @ 1mA
• 漏源电压（Vdss）: 100V
• 最大导通电阻（RDS(on)）: 21.5 毫欧 @ 15A，10V
• 栅极电荷（Qg）: 35.8 nC @ 5V
• 功率耗散（最大值）: 147W @ Tc
• 工作温度范围: -55°C 至 175°C
• 封装形式: LFPAK56，Power-SO8，SC-100，SOT-669

3. 设计与应用

BUK9Y22-100E,115的N沟道配置使其在开关频率较高的应用中表现优异，适用于电源转换器、DC-DC转换器、马达驱动器和其他功率电子设备。由于其具有较低的导通电阻，能够在较高的电流下进行高效转换，显著降低功率损耗和发热，提高系统整体可靠性。

由于该元器件的Vdss为100V，它可以有效地适应包括高电压供电系统在内的多种应用场景。工作温度范围达到-55°C至175°C，保证了其在极端环境下的稳定性，进一步拓宽了使用范围，特别适合军事、航空航天及户外设备等苛刻条件下的需求。

4. 性能优化

BUK9Y22-100E,115的设计还考虑了输入电容（Ciss）的优化，最大值为4640pF，这为高频率操作提供了良好的兼容性。较小的栅极电荷提高了开关速度，降低了驱动电路的复杂性，适合快速开关应用的发展趋势。

此外，MOSFET的最大栅源电压（Vgs）为±10V，这给予设计人员更大的灵活性来选择驱动电压，使得设计既简单又成本有效。设备的持续漏极电流高达49A，使得BUK9Y22-100E,115成为大型电流应用的理想选择，能够承受瞬时电流要求，确保其他电路元件在电流高峰期间不受到损害。

5. 结论

综上所述，BUK9Y22-100E,115是一款高效、可靠且适用范围广的N沟道MOSFET产品。凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围和高功率处理能力，该产品无疑是现代功率电子设备的优秀选择，能够满足多种工业及消费电子应用的要求。无论是在电动汽车、电源转换领域，还是在高效能的可再生能源系统中，BUK9Y22-100E,115都是确保性能与效率的关键元器件。