DDTC113ZE-7-F
DDTC113ZE-7-F参数
| 晶体管类型 | 1个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 33@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@100uA,0.3V |
| 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 500mV@100uA,0.3V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 300mV@5mA,0.25mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
DDTC113ZE-7-F手册
DDTC113ZE-7-F概述
产品概述：DDTC113ZE-7-F
一、基本信息
DDTC113ZE-7-F是由Diodes Incorporated公司推出的一款高性能NPN数字晶体管，专为满足各种电子应用需求而设计。该产品采用SOT-523封装，适合表面贴装(SMT)工艺，其紧凑的尺寸使其非常适合于空间受限的电路设计中。由于其优异的性能参数，DDTC113ZE-7-F广泛应用于数码产品、信号放大、开关电路及其他低功耗电子设备中。
二、技术参数
封装/外壳: SOT-523
- 小尺寸的SOT-523封装使得该元器件在各种小型化电子设备中都能够轻松集成。
晶体管类型: NPN-预偏压
- 预偏压设计使得该晶体管即使在较低电压下也能顺利导通，提高了电路的响应速度和可靠性。
电压-集射极击穿（最大值）: 50V
- 该晶体管能够承受高达50V的集射极击穿电压，适合不同电源电压范围的应用。
集电极电流Ic（最大值）: 100mA
- 最大集电极电流达到100mA，适合用于驱动较小功率的负载。
电流放大倍数hFE（最小值）: 33@5mA，5V
- 在典型条件下，其电流放大倍数hFE可达到33，意味着即使在较小的基极电流下，该晶体管仍能有效放大信号。
功率（最大值）: 150mW
- 最大功率为150mW，使得DDTC113ZE-7-F在进行高达150mW的电能处理时不会过热，保证了电路的稳定性。
安装类型: 表面贴装(SMT)
- SMT类型设计使得其在现代PCB（印刷电路板）制造中容易安装，提高了生产效率。
制造商: Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated是一家知名的半导体制造商，凭借卓越的制造技术和质量保障，广受行业认可。
零件状态: 有源
- 作为有源元件，DDTC113ZE-7-F提供可用的放大和开关功能，适合各种电子电路设计。
三、应用场景
DDTC113ZE-7-F在电子行业具有广泛的应用，其主要用途包括：
开关电路: 该晶体管能够作为电子开关，控制负载的通断，适合用于自动控制系统中。
信号放大: 在音频、视频等信号处理电路中，通过DDTC113ZE-7-F进行信号放大，提高信号的强度和质量。
数字电路: 作为逻辑门构成的一部分，DDTC113ZE-7-F可以在各种数字电路中使用，帮助制造高效的逻辑运算。
便携式设备: 因其小尺寸和低功耗特性，DDTC113ZE-7-F非常适合用于手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和信号处理电路。
消费电子产品: 包括计算机外围设备、电视和家用电器等，DDTC113ZE-7-F能够在这些设备中提供出色的性能。
四、总结
总之，DDTC113ZE-7-F是一款设计精良、性能稳定的NPN数字晶体管，凭借其高集电极电流、出色的功率处理能力和紧凑的封装，成为了现代电子产品设计的重要组成部分。无论是在开关控制还是信号放大应用中，DDTC113ZE-7-F均能提供优异的性能，满足各种电子设备的需求，为现代科技的发展提供强有力的支持。