晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 75V | 功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 300@150mA,10V | 特征频率(fT) | 300MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@150mA,15mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMDT2227-7-F是一款高性能的双极性晶体管(BJT),专为中等功率应用设计,具有优越的电气性能和多种可选封装形式。该产品由美台公司(DIODES)制造,具备NPN和PNP两种晶体管类型,适合各种电子电路应用。MMDT2227-7-F的额定功率达到200mW,且可支持的集电极电流高达600mA,使其在多个领域都具备出色的应用潜力。
电流与电压规格:
饱和压降:
电流增益:
截止电流:最大集电极截止电流(ICBO)可低至10nA,表明其在待机状态下的能耗极低。
MMDT2227-7-F具有较高的频率响应,跃迁频率(ft)达到了300MHz(NPN)和200MHz(PNP),适用于高速开关和高频应用。同时,该产品的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C(TJ),使其能够在恶劣环境下稳定工作。
该器件采用SOT-363表面贴装封装,尺寸小巧,非常适合现代电子产品对空间的严格要求。SOT-363封装的设计不仅提升了散热性能,还方便进行自动化焊接,提升生产效率。
MMDT2227-7-F因其高集电极电流、低饱和压降和良好的频率响应,广泛应用于以下领域:
MMDT2227-7-F是一款综合性能优越的双极性晶体管,凭借其高电流、高压耐受和极低的截止电流特点,为电子设计提供了灵活的解决方案。无论是在工业控制、通信设备还是消费电子领域,它都能够很好地满足不同应用的需求。其可选封装和广泛的工作温度范围,使其成为设计师和工程师在选择合适元器件时的重要考量。
无论何种应用,只要您需要高效稳定的开关或放大解决方案,MMDT2227-7-F都将是值得信赖的选择。通过合理的电路设计,它能够为最终产品提供更高的可靠性和更好的性能。