PBSS5140T,215
PBSS5140T,215参数
| 晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 1A |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 450mW |
| 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 300@100mA,5V | 特征频率(fT) | 150MHz |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@1A,100mA |
PBSS5140T,215手册
PBSS5140T,215概述
PBSS5140T,215 产品概述
一、产品简介
PBSS5140T,215 是由安世半导体（Nexperia）推出的一款高性能PNP型功率晶体管，专为各种电源和信号放大应用设计。这款晶体管在特定的电气规格上展示了卓越的性能，特别适用于低功耗电子设备、开关电源、放大器和其他需要低饱和压降及高增益的应用场景。
二、主要规格
集电极电流 (Ic): PBSS5140T,215 的最大集电极电流为 1A，确保能够处理较高的负载电流。同时，其截止电流最大为 100nA，提示该器件在关断状态下的漏电流非常小，进而提升了其在低功耗设计中的适用性。
额定功率: 此晶体管的额定功率为 450mW，合适于小型化电路，满足了多种应用对功率的需求。
集射极击穿电压 (Vce): 其最大集射极击穿电压为 40V，适用于中等电压的应用场合。这一特性使它在多样的工业及消费电子品中均可可靠工作。
饱和压降 (Vce(sat)): 不同的集电极电流 (Ic) 和基极电流 (Ib) 条件下，这款器件的最大饱和压降为 500mV @ 100mA，1A。这一较低的饱和压降确定了其出色的能效表现，使得设备在工作时能够减少发热，提升效率。
电流增益 (hFE): 在典型条件下，DC电流增益 (hFE) 的最小值为 300 @ 100mA，5V，彰显了其良好的信号放大能力。这一特性使PBSS5140T,215不仅可用于开关用途，也适合用于线性放大应用。
频率响应: 具备高达 150MHz 的跃迁频率，使得该晶体管能够支持高速开关和高频操作，满足现代通信及信号处理对器件的高性能需求。
工作温度: 工作温度可达 150°C，表明其能够在严苛的环境中稳定运行。这使其在高温运行的应用，如汽车电子设备中，表现出较好的兼容性和可靠性。
三、封装与安装
PBSS5140T,215 采用了 TO-236AB 封装形式，属于表面贴装型 (SMD)，方便在现代电子设备的自动化生产线上进行安装。这种封装提供良好的散热性能和空间利用率，非常适合于小型化设计的需求。
四、应用场景
PBSS5140T,215 广泛应用于：
- 电源管理: 在开关电源、低压电源转换器等领域可作为开关和线性放大器使用。
- 信号放大: 由于其高增益和低饱和压降，适合用于音频和其他信号放大应用。
- 高温环境: 适合在高温环境下使用的汽车和工业电子产品。
- 消费电子: 可用于便携设备和家电中，满足越来越高的能效要求。
五、总结
PBSS5140T,215 是一款强大且灵活的PNP功率晶体管，凭借其卓越的电气性能和高频特性，成为市场上较为理想的选择。其广泛的应用范围、高效的能量管理以及小型化的封装，大大提升了其在现代电子产品中的适用性。对于设计工程师而言，PBSS5140T,215所提供的高增益和低功耗特性，确保了在各种应用中实现最佳的性能与效率。