集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 500mA |
功率(Pd) | 250mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 70@50mA,5V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 500mV@20mA,0.3V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV@100uA,5V |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
PDTD123YT,215 是一款由 Nexperia(安世)公司生产的数字晶体管,采用 NPN 结构,具备预偏压特性。该晶体管设计用于低功耗电子应用,提供均衡的电流放大性能和高效率的电源管理方案。PDTD123YT,215 的额定功率为 250mW,集电极电流(Ic)最高可达 500mA,并具有 50V 的集射极击穿电压(Vce),使其在大多数常见电子电路中均可稳定运行。
PDTD123YT,215 气体绝缘 NPN 晶体管的设计要点是其小巧紧凑的封装,便于集成在各种电路中。该器件的主要用途是作为开关和放大器,适用于 LED 驱动、信号处理、放大电路和其他需要控制电流的数字电路。利用预偏压的特性,可以显著降低基极电流,使得这种晶体管在多种应用中都能够提供高效的性能。
PDTD123YT,215 的高效能和可靠性使其适用于以下应用场景:
该晶体管具有以下性能优势:
总体而言,PDTD123YT,215 是一种性能卓越、应用广泛的数字 NPN 晶体管,适合多种低功率电子应用,尤其适合对体积有较高要求的现代电子产品。凭借其可靠的电气参数和优秀的工作特性,该晶体管在电子设计中被认为是一个非常理想的选择,能够满足设计师在高效能和小尺寸设计之间的平衡需求。无论是用于简单的开关应用还是复杂的信号处理,该产品都能为工程师提供一种可靠且经济的解决方案。