输入失调电压(Vos) | 3mV | 输入偏置电流(Ib) | 100nA |
工作电压 | 3.5V~30V;1.75V~15V | 输出类型 | 开集;开射 |
输出模式 | MOS;RTL;DTL;TTL | 工作温度 | -40℃~+85℃ |
LM211DR 产品概述
LM211DR 是一款来自德州仪器(Texas Instruments, TI)的高性能比较器,具备多种独特的功能和应用优势。该器件广泛用于需进行精确电压比较的电子电路中。下面将详细介绍该产品的关键规格、工作原理、应用场合及其优势。
LM211DR 的主要参数包括:
LM211DR 的工作原理基于比较器的基本特性,即两输入端(反相和非反相)之间的电压差。当非反相输入的电压高于反相输入时,其输出将转变为高电平;反之,则输出为低电平。该器件的低输入偏置电流及极高增益特性使其能够处理微小的输入电压变化,对于电压监控和信号调理应用极为理想。
LM211DR 适用于多种电子电路和系统,包括但不限于:
LM211DR 提供了一系列的性能优势,适用于复杂和安全要求较高的电子应用:
LM211DR 是一款性能优异、功能强大的比较器,适合各种需要电压监控和比较的场合。凭借其广泛的电源电压范围、低静态电流和出色的输入性能,LM211DR 在电子设计中具备重要的应用价值。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,LM211DR 都能够满足高可靠性和高精度的设计需求。选择 LM211DR,将为您的设计带来更高的性能与效率。