额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 600mA |
集射极击穿电压Vce | 160V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 160V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
1. 概述
MMBT5551-7-F是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),其专为小功率开关和放大应用而设计。这种晶体管的额定功率为300毫瓦,集电极最大电流(Ic)可达600毫安,适用于低电流状况下的驱动和信号处理。其集射极击穿电压(Vce)高达160伏,使其能够广泛应用于各种电源管理和信号放大电路中。
2. 关键参数
3. 应用场景
MMBT5551-7-F适用于以下几个关键领域:
4. 性能特性
MMBT5551-7-F在多个方面展现了其优越性能:
5. 封装和安装方式
MMBT5551-7-F采用SOT-23封装,这种封装小巧并且便于表面贴装,使其可以广泛应用于现代电子设备中,尤其是对空间要求较高的手机、平板电脑和其他消费电子产品。其紧凑的尺寸有助于减少电路板的面积,同时提高生产效率。
6. 结论
MMBT5551-7-F是高效、可靠的小功率NPN型晶体管,凭借其卓越的电气特性和稳定性能,非常适合多种应用场景,包括开关电路、信号放大和电源管理等。其优异的高频特性和广泛的工作温度范围,使得该产品成为设计师与工程师们在开发新产品时的理想选择。通过选择MMBT5551-7-F,用户能够在确保电路高效能的同时,提升其产品的整体性能与可靠性。