MMBT5551-7-F 产品实物图片
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MMBT5551-7-F

商品编码: BM0000282144
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 160V 600mA NPN SOT-23
库存 :
62577(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.108
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.108
--
3000+
¥0.086
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT5551-7-F参数

额定功率300mW集电极电流Ic600mA
集射极击穿电压Vce160V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA电压 - 集射极击穿(最大值)160V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁300MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

MMBT5551-7-F手册

MMBT5551-7-F概述

产品概述:MMBT5551-7-F

1. 概述

MMBT5551-7-F是一款高性能的NPN型双极性晶体管(BJT),其专为小功率开关和放大应用而设计。这种晶体管的额定功率为300毫瓦,集电极最大电流(Ic)可达600毫安,适用于低电流状况下的驱动和信号处理。其集射极击穿电压(Vce)高达160伏,使其能够广泛应用于各种电源管理和信号放大电路中。

2. 关键参数

  • 额定功率:300mW
  • 集电极电流(Ic, 最大值):600mA
  • 集射极击穿电压(Vce, 最大值):160V
  • 饱和压降:在5mA和50mA时最大饱和压降为200mV
  • 截止电流(ICBO, 最大值):500nA
  • 直流电流增益(hFE, 最小值):80 @ 10mA,5V
  • 频率跃迁(fT):300MHz
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  • 封装类型:SOT-23,适于表面贴装

3. 应用场景

MMBT5551-7-F适用于以下几个关键领域:

  • 开关电路:通过其较高的集电极电流和高电流增益,MMBT5551能够高效驱动各种负载,符合电机、蜂鸣器及灯光控制等应用。
  • 放大器电路:由于其优秀的增益特性,该晶体管非常适合用作音频信号放大器及其他小信号放大器电路。
  • 电源管理:其高耐压和小功率特性,使其在开关电源和线性稳压电源的保护电路中有广泛应用。
  • 高频应用:由于其频率跃迁(fT)高达300MHz,MMBT5551也非常适合用于RF(射频)信号的处理和调制应用。

4. 性能特性

MMBT5551-7-F在多个方面展现了其优越性能:

  • 高增益:典型的直流电流增益(hFE)为80,能够在较小的输入信号下实现较大的输出电流,充分满足各种应用场合。
  • 低饱和压降:200mV的饱和压降意味着更高的功率效率,能够更有效地转化输入信号为输出电流,降低功耗。
  • 宽工作温度范围:-55°C至150°C的工作温度范围,确保了该产品在严酷环境条件下的稳定性能。

5. 封装和安装方式

MMBT5551-7-F采用SOT-23封装,这种封装小巧并且便于表面贴装,使其可以广泛应用于现代电子设备中,尤其是对空间要求较高的手机、平板电脑和其他消费电子产品。其紧凑的尺寸有助于减少电路板的面积,同时提高生产效率。

6. 结论

MMBT5551-7-F是高效、可靠的小功率NPN型晶体管,凭借其卓越的电气特性和稳定性能,非常适合多种应用场景,包括开关电路、信号放大和电源管理等。其优异的高频特性和广泛的工作温度范围,使得该产品成为设计师与工程师们在开发新产品时的理想选择。通过选择MMBT5551-7-F,用户能够在确保电路高效能的同时,提升其产品的整体性能与可靠性。