MMBTA06Q-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMBTA06Q-7-F

商品编码: BM0000282145
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.043g
描述 : 
三极管(BJT) 350mW 80V 500mA NPN SOT-23
库存 :
21283(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.203
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.203
--
3000+
¥0.18
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBTA06Q-7-F参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)80V功率(Pd)350mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@100mA,1.0V特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,10mA
工作温度-55℃~+150℃

MMBTA06Q-7-F手册

MMBTA06Q-7-F概述

MMBTA06Q-7-F 产品概述

MMBTA06Q-7-F 是一款高性能的 NPN 晶体管,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要高集电极电流和低饱和压降的场合。这款晶体管由 DIODES(美台)公司生产,具备一系列令人印象深刻的电气性能,适合用于开关、放大和脉冲调制等多种应用。

主要参数与特性

  • 额定功率: MMBTA06Q-7-F 具有高达 350mW 的额定功率,足以满足大多数应用的需求。
  • 集电极电流 (Ic): 该器件支持最大集电极电流为 500mA,让它能够胜任多种高电流应用场景。
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大集射极击穿电压为 80V,保证了在高电压环境下的安全性与稳定性。
  • 饱和压降: 在不同的输入基极电流 (Ib) 下,Vce 饱和压降的最大值为 250mV,在 10mA 和 100mA 的集电极电流条件下表现优异。
  • 截止电流: 器件在截止状态下的集电极电流最大值为 100nA,展现出良好的密封特性。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 100mA 和 1V 的条件下,该器件的 DC 电流增益 (hFE) 最小值为 100,提供了强大的信号放大能力。
  • 频率增益: MMBTA06Q-7-F 的频率跃迁达到 100MHz,使其能够应对高速信号处理的需求。
  • 工作温度范围: 此晶体管能够在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作,适用于恶劣的环境条件。

封装与安装

MMBTA06Q-7-F 采用 SOT-23 封装,具备紧凑的外形设计,适合现代电子设备的空间限制。表面贴装型 (SMD) 的设计便于自动化组装,提升生产效率。此外,SOT-23 封装在散热和电磁兼容性方面有良好的表现,能够有效地降低电路的噪声水平。

应用场景

凭借其卓越的电气参数和可靠性,MMBTA06Q-7-F 在多种应用中表现突出,主要应用于:

  • 信号放大: 利用其高直流电流增益,可以有效放大微弱信号,广泛应用于音频放大器和 RF 放大器等领域。
  • 开关电路: 该器件可作为开关在电源管理和控制电路中使用,能够快速切换,满足高频应用需求。
  • 脉冲调制: 其良好的频率响应使其适合用于脉宽调制 (PWM) 控制电路中,广泛应用于电机控制、LED 驱动等场合。
  • 信号处理: 由于其较低的饱和压降和高增益,适合用于模拟信号处理和数字信号开关。

结论

MMBTA06Q-7-F 是一款具有高可靠性和优秀性能的 NPN 晶体管,凭借其合理的价格和卓越的电气参数,已成为电子工程师在设计电路时的理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制领域,其应用潜力都是巨大的。通过合理的电路设计,能够充分挖掘其性能优势,为各种电子产品的创新和发展提供强有力的支持。