晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 350mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@100mA,1.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,10mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
MMBTA06Q-7-F 是一款高性能的 NPN 晶体管,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要高集电极电流和低饱和压降的场合。这款晶体管由 DIODES(美台)公司生产,具备一系列令人印象深刻的电气性能,适合用于开关、放大和脉冲调制等多种应用。
MMBTA06Q-7-F 采用 SOT-23 封装,具备紧凑的外形设计,适合现代电子设备的空间限制。表面贴装型 (SMD) 的设计便于自动化组装,提升生产效率。此外,SOT-23 封装在散热和电磁兼容性方面有良好的表现,能够有效地降低电路的噪声水平。
凭借其卓越的电气参数和可靠性,MMBTA06Q-7-F 在多种应用中表现突出,主要应用于:
MMBTA06Q-7-F 是一款具有高可靠性和优秀性能的 NPN 晶体管,凭借其合理的价格和卓越的电气参数,已成为电子工程师在设计电路时的理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制领域,其应用潜力都是巨大的。通过合理的电路设计,能够充分挖掘其性能优势,为各种电子产品的创新和发展提供强有力的支持。