漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 400mA(Tc) |
栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.4Ω @ 350mA,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.14W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .68nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 350mW(Ta),1.14W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
在现代电子产品中,场效应晶体管(FET)广泛应用于电子开关、放大器以及其他电源管理应用中,而N沟道MOSFET凭借其优越的特性,成为各类电子设计中的重要组成部分。NX3008NBK,215是安世(Nexperia)公司推出的一款优秀N沟道MOSFET,具备高效能和可靠性,适合多种场合的电子应用。
NX3008NBK,215具有如下的基本参数特性:
NX3008NBK,215采用了TO-236AB封装,这种表面贴装型封装(SMD)具有体积小、占板空间少、易于自动化生产的特点。TO-236封装结构也有效改善了散热性能,适应高密度PCB设计的需求。
NX3008NBK,215的高效能和可靠性使其适用于多种应用,主要包括:
NX3008NBK,215 N沟道MOSFET凭借其高效的电气特性、小巧的封装设计以及广泛的应用场景,已成为电子设计工程师开发新产品时的理想选择。无论是低功耗产品还是高性能电源管理系统,NX3008NBK,215都能够提供优良的性能与可靠性,有助于实现更高效能及更安全的电路设计。
借助高质量的材料和严谨的制造工艺,安世(Nexperia)公司保证了NX3008NBK,215的卓越性能,使其能够在多种应用中胜任更为复杂的电气任务。在未来的电子技术和产品发展中,NX3008NBK,215定将发挥其重要作用,为实现更高效的电力管理方案提供支持。
通过合理的工程设计和选择合适的元器件,NX3008NBK,215将助力您的项目成功落地,提升产品性能,满足市场需求和客户期待。