PDTC143TT,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PDTC143TT,215

商品编码: BM0000282243
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
2098(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.545
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.545
--
200+
¥0.182
--
1500+
¥0.113
--
3000+
¥0.0899
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTC143TT,215参数

集射极击穿电压(Vceo)50V集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)250mW直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1mA,5V

PDTC143TT,215手册

PDTC143TT,215概述

产品概述:PDTC143TT,215 NPN 数字晶体管

一、产品简介

PDTC143TT,215 是一款由知名电子元器件制造商 Nexperia(安世半导体)生产的数字晶体管,采用表面贴装封装(TO-236AB,亦称 SOT-23)。作为一种 NPN 预偏置型晶体管,它在宽广的应用领域中,以其优秀的电气特性和可靠性而受到青睐。这款晶体管适用于信号放大、开关电路等多种电子设备,尤其是在现代数字电路中表现出良好的性能。

二、主要参数

  1. 类型:NPN 预偏置
  2. 集电极电流 (Ic):最大值为 100mA,适合多种应用和负载。
  3. 集射极击穿电压 (Vce(max)):最大值为 50V,确保在高电压环境下的稳定工作。
  4. 基极电阻 (R1):4.7 kΩ,优化偏置条件,提升工作效率。
  5. 直流电流增益 (hFE):在典型条件下,最小值为 200 @ 1mA,5V,表明该晶体管在小信号放大时具有良好的增益特性。
  6. 饱和压降 (Vce(sat)):最大值为 100mV @ 250µA,5mA,意味着在开关状态下,功率损失较小,提高了整体电路效率。
  7. 截止电流 (Ic(off)):最大值为 1µA,适合要求低漏电流的应用场景。
  8. 功率耗散 (Pd):最大值为 250mW,允许在一定条件下进行有效的热管理。
  9. 封装类型:表面贴装型 TO-236AB,适合现代 PCB 板的紧凑设计,有利于减小体积和重量。

三、应用场景

PDTC143TT,215 通常用于以下几个领域:

  1. 数字电路:由于其良好的增益和低饱和压降,该晶体管广泛应用于数字信号的开关和处理。
  2. 开关电源:在开关电源设计中,得益于其较高的 Vce 和 Ic,PDTC143TT,215 能够处理较高的电流和电压,且提供良好的开关性能。
  3. 信号放大:在音频处理和传感器信号传输中,PDTC143TT,215 可以用来实现信号的放大,具有较低的噪声特性。
  4. 低功耗应用:在需要低功耗操作的移动设备和物联网应用中,该晶体管能够满足苛刻的能效标准。

四、性能优势

  • 高电流增益:高增益特性使得 PDTC143TT,215 能够在较低的基极电流下控制较大的集电极电流,提升了电路的效率。
  • 低饱和压降:低饱和压降减少了功耗,适合大规模集成电路和其他对功耗敏感的应用。
  • 表面贴装封装:TO-236AB 的小型封装有助于减少 PCB 占用面积,尤其在空间受限的应用场合中表现优越。
  • 可靠性:Nexperia 品牌的元器件以高品质和稳定性受到市场认可,确保产品在长时间使用中的功能可靠性。

五、总结

总体而言,PDTC143TT,215 是一款性能卓越的 NPN 数字晶体管,凭借其高增益、低功耗和高可靠性,满足了多种现代电子应用需求。无论是用于商业产品,还是开发新的电子项目,选择 PDTC143TT,215 都将是一个明智的选择,为您的设计提供稳定和高效的解决方案。